简介:利用InsightⅡ软件包中的Homology模块,通过同源建模的方法在SGI02图形工作站上依据白喉毒素晶体结构,在其催化区的活性部位截取了S^146-Q^155,S^19-N^45,N^45-S^55和T^56-N^714个片段,每个片段只舍有1个α-螺旋。以此构象为结构基础,利用量子化学半经验AM1方法,分别对4个片段进行了量子化学计算,得到了重要的电子结构信息,为突变研究提供了理论依据。研究结果表明,在与受体相互作用时,能够提供电子的主要氨基酸是D^29,D^49,D^68,E^154,D^47,E^70,E^148;能够接受电子的主要氨基酸是K^39,F^53,K^59,Y^54,Y^149,K^3,K^24,W^153;能够同受体进行疏水作用的主要氨基酸是Y^20,H^21,Y^27,I^31,I^35,Y^46,W^50,Y^54,Y^60,Y^65,I^150,W^153,上述氨基酸都可能对活性产生重要影响。
简介:在建立高斯型重复脉冲激光辐照InSb(PV)型探测器物理模型的基础上,采用近似解析解的形式计算了圆柱形InSb靶板的二维温度场.通过数值分析得出了在激光辐照时,InSb(PV)型探测器的温升与时间的关系,并计算出相应的损伤阈值.研究表明:在高斯型重复脉冲激光辐照下,损伤阈值受到脉冲数目、宽度、重复频率以及脉冲激光光斑半径的影响,InSb(PV)型探测器会发生熔融损伤,发生于迎光面的光斑中心.对于一定厚度胶层的InSb(PV)型探测器,只有强度大于一定阈值时重复脉冲激光的辐照才可能发生熔融损伤,越薄的胶层对应的损伤阈值越大.为了增加InSb(PV)型探测器的激光对抗能力,应该减小胶层厚度.
简介:利用有限元方法计算了GTEM室内二维截面上EUT对特性阻抗的影响,比较了金属EUT接地和不接地2种情况下对GTEM室特性阻抗的影响;分析了EUT为介质材料时,EUT的相对大小对GTEM特性阻抗的影响.计算结果对使用GTEM室进行测试具有较高的参考价值.