简介:利用5V数字逻辑电路、多种高低压高速金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)及8路3级驱动电路,逐步提升MOSFET管的能力。利用输入触发信号控制产生具有一定时序关系的8路初级驱动信号,再经过次级驱动电路,提升为8路中高压驱动信号,加速输出级开关,产生高性能的双极性门控信号。该门控脉冲发生器工作电源电压为12V,输出电压为50~-200V,输出脉冲前后沿均为1.5ns,输出信号的脉冲宽度由输入信号控制调节,可在最小输出脉冲宽度3ns至直流信号之间变化。脉冲工作时,最大重频为3.3MHz,固有延迟为50ns,触发晃动小于0.2ns,体积为86mm×43mm×23mm。
简介:重复频率高电压窄脉冲电源可应用于烟气脱硫脱硝,而制约该类电源工业应用的因素主要是大功率开关的耐压、通流能力及开关寿命。火花隙开关及氢闸流管开关已经发展到耐压分别到兆伏和几十千伏的量级,磁开关也可做到几十千伏,而半导体开关一般的耐压能力却在几至几百千伏以下。寿命上,火花隙开关、氢闸流管开关和固态开关大致为10^9,3×10^9,10^12次。显而易见,对于要求高重复频率长时间连续工作的环境,如电厂的烟气净化装置,电源的低成本及长寿命无疑是首要条件,所以采用磁开关结合半导体开关研制全固态窄脉冲电源就成为比较理想的方案(图1)。由图1看出,该电源除了采用磁开关及半导体开关技术外,另一大特色就是采用了可饱和脉冲变压器,利用它的可饱和特性,可以达到类似于磁开关的压缩脉冲的效用,并且同时也具有变压器本身的特性。半导体开关拟采用数只快速可控硅串联,开关触发电路的设计采用光控及变压器隔离的方案,开关保护电路采用并联均压电阻及RCD保护回路的方案。可饱和脉冲变压器和磁开关的磁芯材料选取超微晶及铁基非晶合金材料。由于磁开关及变压器的使用,磁芯的损耗是影响电源能量效率的主要因素之一,初步估计该电源的效率在70%以上。
简介:利用“神光”-Ⅲ原型装置所用氙灯(内径为Ф31mm,弧长为1430mm,壁厚为3.5mm,管材为掺铈石英玻璃)进行高负载(爆炸系数fx=0.6)实验。图1给出了氙灯放电时的电流电压波形。实验发现,氙灯运行不到10发时,氙灯灯管内壁出现白色花纹,而且白色花纹的出现是随机的,并且不是一直都会存在。随着运行发次的增加,氙灯内壁出现乳状积淀物,发白区域从两端向氙灯中间延伸,但并不是均匀分布,而是成块状遍及整支灯管。运行到约20发时,在灯管内壁会出现短的亮线(即极限负载条纹),随着运行发次的增加,亮线的长度会沿圆周发展成弧形或圆环形,亮线的数量也会由两端离电极30mm处向氙灯中间增加,呈一系列的圆环分布,但圆环的间距并不相同,而且当氙灯冷却到室温时,可以观察到灯管内壁和氙灯下端(竖直)附有白色颗粒物。
简介:研究了光纤受γ射线辐照的响应机制,计算了光纤对γ射线的吸收率、效应截面、Compton电子的能通量及角度分布;提出了瞬态辐射感生损耗的测量方法,设计了瞬态辐射感生损耗的实验测量系统.在平均光子能量为0.3MeV、剂量率为2.03×107Gy·s-1以及平均光子能量为1.0MeV、剂量率为5.32×109Gy·s-1的两种脉冲γ射线辐照条件下,获得了4种光纤瞬态辐射感生损耗与剂量的关系、永久性感生损耗的谱分布和折射率变化结果即:(1)脉冲γ射线对光纤的瞬态辐射感生损耗随探测波长在近红外到可见光范围内的减小而增大;(2)在相同辐照条件下,多模光纤的瞬态辐射感生损耗稍大于单模光纤;(3)辐射致光纤折射率变化;(4)在一定剂量范围内,多模光纤瞬态辐射感生损耗和剂量呈近似线性关系.研究表明:γ射线导致光纤基质原子产生新的色心和光纤折射率变化,色心对传输光子的共振吸收导致光纤吸收损耗增加,折射率变化导致光纤波导损耗增加,感生损耗是两种机制共同作用的结果.
简介:所谓“超宽带(UWB)”,即相对其中心频率有高比例的带宽。1990年,由美国“国防先进技术研究局”召集有关科学家讨论后认为,任何波形,只要带宽大于中心频率的25%,就可认为是“超宽带”。超宽带使用脉宽很窄的基带脉冲,典型为纳秒量级,能量稀薄地扩散在整个使用的带宽里。