简介：文中针对当前通过在A1GaN层进行F－离子注入这种实现EAlGaN／GaN增强型HEMT器件的重要方法，建立其数值模型。对该方法F－起到对导电沟道的调制机理进行了分析解释，对该方法的实现过程中的关键F－离子注入量、注入深度分布的对宏观器件特性的影响进行数值分析，得到了具有指导意义的结果。为今后该方面的器件特性进一步研究提供了理论指导。

简介：本文回顾了轨道交通电传动系统的发展历史。从牵引传动系统、辅助系统和机车稳压电源三个层次的应用说明电力电子技术对电牵引传动系统发展的重要影响。从系统性能、装置简约、试验系统、多器件化和电能质量改善等五个方面削述电力电子器件促进现代轨道交通变流技术的发展。

简介：本文介绍了Infineon公司专为Inom〉300A中大电流应用设计的最新的650VIGBT4。与600VIGBT3相比，该器件在关断时具有更好的软度和更高的阻断电压能力。实现上述特性的主要措施在于增加了芯片的厚度，减小了MOS沟道的宽度，提高了背面的发射效率。相应地，器件的短路鲁棒性也有了显著的改进。

简介：以IGBT、IGCT等为代表的新型电力半导体器件和模块，在我国空调、冰箱、通信电源和电机调速装置(变频器)等电器和设备中的应用日益广泛，对我国高效节能事业和自动化技术的发展起到很大的推动作用。但是，近些年的实践中，由于种种原因，这些新器件在运行中失效损坏的现象还屡有发生。为了介绍和交流

简介：MicrochipTechnologyInc．（美国微芯科技公司）近日宣布在其32位PIC32单片机系列中集成USB2．0On—The—Go（OTG）功能。集成的USBOTG有助于设计工程师以简易和性价比高的途径，满足最终产品对高级USB连接功能与日俱增的需求。PIC32系列不仅为嵌入式设计人员带来更高的性能及容量更大的存储器，还可在引脚、外设及软件等方面，保持与Microchip16位单片机及数字信号控制器（DSC）系列的兼容性。

简介：评述了30年前第一批用中子嬗变掺杂硅单晶(即无条纹硅)制造高电压、大电流整流管和晶闸管的报道。由此介绍硅材料的中子嬗变掺杂技术原理、发展进程，指出NTD硅的实用化成为电力半导体器件向大电流(大直径)、高电压方向发展的一个重要突破口。

简介：由北京电力电子学会、中国电器工业协会电力电子分会、IEEE电力电子学会北京分会和浙江省嘉善县人民政府主办,北京华瑞赛晶电子科技有限公司、《变频器世界》杂志社承办的2004电力电子技术及应用年会暨第四届中国电力电子论坛于2004年10月28日-31日在浙江省嘉善县举行。与会代表170人,他们来自67个单位,其中外企有ABB半导体、ABB传感器、Semikom、CooperBussmann、Bussmann快熔、HuaDanInternationalAPS、AVX、Redivdlt/ExpressASIA等8家公司。在开幕式主席台上就座的特邀嘉宾有国家科技部高新技术司自动化处处长戴国强、中国

简介：新型CoolMOSTM650VCFD技术为具有高性能体二极管的高压功率MOSFET确立了一个新基准。新型器件综合了多方优势，包括高达650V阻断电压、极低的Rdsno、容性损耗低、同时还改善了体二极管在反向恢复过程，特别是软硬转换应用时的坚固度。随着性能的提高，将介绍列入参数表的Qrt和trt的最大值。本文还研究了改善体二极管坚固度的相关因素。这干叶，具有快恢复体二极管的新型超结器件系列的优点，在HID半桥拓扑中尤为突出。它也可用于DPAK封装。

简介：GaN基功率器件技术正在快速发展，其应用已扩展到包括太阳能逆变器在内的更广阔的应用领域。由于固有的针对高、低压电能变换拓扑的可扩展性，并且其优值（FOM）较Si基器件有非常冠著的改善，GaN功率产品注定会埘未来高效光伏太阳能逆变器／变换器产生直接的影响。GaN基器件能降低每一级电能变换所带来的损耗，所以它将有助于增加收集到的总能量。将其与驱动集成电路和其它部件集成在一起，可以缩小系统尺寸，并推动大规模的商业化生产。本文介绍了GaN基功率技术的最新进展、未来产品路线的发展趋势，以及传统逆变器的和光伏微逆变器中AC／DC和DC／DC拓扑的实测结果和仿真实例。