简介:利用热氧化法,在紫外线光源催化作用下,在N型硅衬底上沉积氧化镍(NiO)薄膜,制备具有半导体特性的NiO/Si异质结二极管。使用JASCONRS-3100测量薄膜拉曼散射频谱,分析不同氧化时间、不同紫外线光源、不同退火条件对NiO薄膜性能的影响。实验结果表明:氧化时间为60min时,金属Ni能够充分氧化;含臭氧水银灯比金属卤化物灯更有助于金属Ni的氧化反应;氮气下退火30min,有助于消除晶格损伤,改善薄膜特性。通过PhillipsX’Pert衍射仪分析NiO薄膜的晶体结构,KeysightB1500A半导体参数测量仪测量NiO/Si二极管的I-V特性,当二极管两端电压分别为2V和-2V时,电流密度相差3个数量级,表现出良好的整流特性。
简介:为了利用雷达对低空和超低空飞行器进行精确探测,必须对影响雷达测量精度的大气折射误差进行实时修正。针对目前大气折射误差计算存在处理时间较长、不能满足实时性要求的现状,提出了一种利用虚高进行折射误差修正的快速算法。根据等效地球半径中电波射线为直线的情形推出计算接近目标真实高度的虚高方法,利用虚高将折射误差公式中的积分项分为两部分,最影响折射误差修正处理时间的部分采用一次积分完成,另一小部分利用变步长的迭代方法完成。仿真实验表明,在保证与目前公认高精度的射线描迹法相同的精度条件下,利用虚高进行大气折射误差修正可实现快速计算,计算速度至少提高一倍,且计算速度随雷达仰角的增大而增快。