简介:采用多陷阱的理论方法,模拟了不同剂量率辐照下MOS电容的总剂量效应,分析了氧化层空间电荷场效应与辐照剂量率的关系.研究了氧化层中浅能级陷阱、深能级陷阱对界面俘获电荷和半带电压的影响.研究结果表明,相对于高剂量率辐照,低剂量率在Si/SiO2界面附近俘获更多的空穴,导致产生更大的半带电压漂移;空间电荷场效应是由高、低剂量率辐射损伤差异造成的;浅能级陷阱俘获的空穴主要支配着氧化层电荷的传输特征,被深能级陷阱俘获的空穴是永久性的,是引起器件半带电压漂移的主要原因.
简介:主动式活性炭吸附222Rn的方法中,吸附时间不同,222Rn在活性炭盒中的分布不均匀,这对HPGeγ谱仪测量分析中效率刻度产生影响.通过在标准222Rn室进行的主动式双滤膜活性炭吸附实验,分析得到不同吸附时间下HPGeγ谱仪对222Rn子体不同能量特征γ射线的探测效率和222Rn在双滤膜活性炭盒中进出口计数相对差异,拟合得到两者之间的关系曲线,即不同能量特征γ射线下的探测效率与222Rn进出口计数相对差异呈线性关系.通过实验得到双滤膜活性炭盒对222Rr吸附量的拟合曲线值与测222Rn仪实测值相对偏差绝对值小于5%,验证了该方法的正确性和可靠性.