简介:摘 要:本文针对镀镍外壳与螺母冲压过程中,存在的外壳冲压部位开裂的原因进行了了解、分析,确定了外壳开裂的主要原因,并针对该现象提出了解决外壳开裂问题的措施,主要包括两个方面:增大外壳冲压孔边距、减小外壳与螺母间冲压过盈量。
简介:摘要:导线压接是端接方式里面最为常见和可靠的一种连接方式,通过外力使导体间形成永久性的形变连接。压接操作方便,无需引入新物料,可在无电源、热源的环境下进行操作[1]。镀镍导线有性能稳定,耐高温,成本相对较低的特点,目前在很多场合都有选用镀镍导线作为电信号传输的载体。但镀镍导线在常规压接后经常出现导通电阻值异常现象,本文将通过对镀镍导线的压接分析及研究,提升镀镍导线导通电阻值稳定性和一致性,以提高产品的使用可靠性。
简介:摘要:导线压接是端接方式里面最为常见和可靠的一种连接方式,通过外力使导体间形成永久性的形变连接。压接操作方便,无需引入新物料,可在无电源、热源的环境下进行操作[1]。镀镍导线有性能稳定,耐高温,成本相对较低的特点,目前在很多场合都有选用镀镍导线作为电信号传输的载体。但镀镍导线在常规压接后经常出现导通电阻值异常现象,本文将通过对镀镍导线的压接分析及研究,提升镀镍导线导通电阻值稳定性和一致性,以提高产品的使用可靠性。
简介:摘要:提出了一种主要采用HF,HNO3与H3PO4以及络合缓蚀剂组成的混合液退除镁合金上化学镀镍层的方法。测试了不同HF HNO H3PO4组合的退镀液的性能,并分别测定了HF HNO3 H3PO4不同含量对退镀的效果影响,同时对比了最优混合比例下不同牌号镁合金退镀效果,结果表明,HF,HNO3 H3PO4比例为3:3:1,添加混合络合缓蚀剂B 10g/L时,镁合金基体不腐蚀,退镀效果最好。
简介:摘要:碳化硅(SiC)作为第三代宽禁带半导体材料,具有良好的热导性、宽带隙、大击穿电场等优良特性,被广泛应用于高温、高频、大功率等电子器件上。但是由于碳化硅具有很高的硬度和化学稳定性,Si-C键合能较大导致湿法刻蚀无法达到要求,因此针对深孔或高台阶刻蚀多采用感应耦合等离子体(ICP)对SiC进行刻蚀,目前研究人员系统研究了ICP刻蚀条件、气体组成等各种工艺条件对SiC刻蚀的影响;其中镍作为刻蚀掩膜层被广泛应用在刻蚀SiC中,因此镍的耐刻蚀性很重要,在一定程度上决定了刻蚀过程中的SiC/Ni的选择比(SiC刻蚀量与Ni刻蚀量的比值),在同等刻蚀条件下,镍消耗少,SiC/Ni的选择比就高,则所需镍层就薄,从而减少了工艺时间,提高了工艺效率。
简介:摘要:本文简述了镀铅镀铅锡焊接原理,结合可焊性试验,对试验数据进行对比,结合大量实验摸索并确定镀铅和镀铅锡焊接性能,为镀铅镀铅锡焊接性研究提供有利参考。
简介:摘要 通过使用镍铁替代镍板冶炼SAE8620H钢工艺,在不改变转炉冶炼工艺和保证钢种成分和性能的基础上,降低了生产成本。
简介:摘要:本文针对II型氰化镀镉工艺,通过研究镀镉槽和钝化槽槽液成分,分析影响II型镀镉零件外观的关键因素,掌握镀层外观随槽液成分变化的规律,找出最佳的槽液成分区间,为实际生产提供指导。