简介：利用匹配渐近展开法,讨论了一类边界层位置转移的非线性奇摄动边值问题,并且通过对参数的五种不同取值的分类探讨,得到了该问题具有左边界层、右边界层或内部层之一的结论（其中左、右边界层又各分为两种类型）.进而给出了该问题解的一致有效的零次渐近解,推广并改进了已有的结果.

简介：本文对振动台位移幅值的自动测量方法进行了研究,利用迈克尔逊干涉仪原理实现了对微小振动位移的干涉测量.

简介：精密位移机构既是重要的运动执行元件，也是对工艺系统误差进行动态、静态补偿的元件。目前常见的精密位移机构一般利用弹性变形、机械传动、电磁力和压电陶瓷、电致伸缩和磁致伸缩等方式实现，这些方法都难以同时具有高频响、大行程、高精度的特点，有的还需中间的传动机构，结构复杂，精度难以提高，存在电磁干扰等问题。

简介：通过直流伺服电机、精密导轨、光栅尺位置反馈系统，建立了高精度次镜位置控制系统，并在光学系统上得到了应用。采用传统的PID位置控制算法，对次镜的位置控制精度达到了0．1μm。

简介：采用四元数方法对欧拉位移定理进行证明。

简介：引入力———位移图来解释可逆和不可逆过程,分析结果说明热力学系统中可逆过程是无摩擦的准平衡过程。

简介：利用PASCO公司生产的磁场传感器与运动传感器,设计了结合位移变化的磁场测定装置,该装置中添加了自行设计的反射板,使该装置可以在一定距离范围内连续地实时地测量某一区域内的磁场分布情况,并成功将该套装置应用到红豆生长的磁场生物效应实验中.利用该装置测量了红豆生长培养槽中的磁场分布情况,并研究了红豆处于该种特定磁场环境中,从发芽到生长7天的植株生长情况,研究结果表明磁场场强处于1.5-2.5Gs（约3-5倍地磁场强度）时,其磁场对红豆生长起到了促进的作用.

简介：介绍了材料位移损伤效应研究中的多尺度数值模拟方法,包括第一性原理、分子动力学和动力学蒙特卡罗方法,举例说明了3种方法的作用和模拟结果,指出了半导体材料位移损伤多尺度模拟研究中待研究的问题,为半导体材料的辐射效应研究提供参考。

简介：针对DC/DC的质子位移效应,选取具有抗TID能力的DC/DC器件作为试验样品,在3MeV质子辐照条件下获取了器件的失效位移损伤剂量.结果表明,DC/DC功能失效是PWM控制器输出异常导致的.通过等效^60Coγ辐照及退火试验,排除了TID效应的影响,确定器件功能失效是由位移损伤引起的.高温退火后器件功能恢复,并立即对该器件进行了测试.结果表明,输出电压、电压调整度、负载调整度、交叉调整度、纹波及负载跃变时的输出电压均大幅衰退.利用这些敏感参数,获取了位移损伤导致的电源性能衰退模式.根据位移损伤缺陷类型及退火温度,分析了DC/DC的退火规律,可为DC/DC质子辐射损伤模拟试验方法的建立及其空间应用提供依据.

简介：本文首先介绍了粒子群算法（PSO）的基本模型及其运行机制；然后，通过粒子迭代位移、轨迹分析和函数上的参数试验，研究了c1，c2参数对粒子行为和算法进化性能的影响，以及对粒子目标识别和方向感的影响；接着，又探讨了PSO中的解的更新空间不断塌缩、粒子的“游荡”与“振荡”、粒子进化与多样性损失等几个确定性现象和随机性搜寻的必要条件；最后，分析了早熟收敛和局部收敛的原因。通过研究，加深了对粒子群算法（PSO）基本模型运行机制的认识和对C1，c2参数特性的了解。