简介:通过multisim软件仿真模拟场效应管的转移特性与输出特性,拟合出函数,利用函数绘图,最后结合图解法的具体步骤与要求用matlab数学软件对场效应管放大电路进行详细动态分析,补充模拟电子技术教材在场效应管图解法部分的不足。
简介:MOS型功率场效应管具有大的脉冲开关电流(数十安培)、较高的漏源电压(达千伏)、小的导通内阻(欧姆量级)和较快的导通时间(数纳秒)。由于其输入输出电容大,故用其制作的脉冲源抗脉冲电磁干扰能力较强,也因此它的开关速度较慢。采用过驱动能提高MOS型功率场效应管的开关速度。就是使栅极驱动脉冲波形的前沿很快且上冲大大超过额定的栅源驱动电压。为此,在研制过程中,解决了用多个场效应管串、并联组合,形成具有纳秒级陡峭前沿的大电流开关;用多个脉冲变压器并联,对大电流开关输出的信号进行放大和成形;用脉冲变压器的技术解决了大功率脉冲功率合成等关键技术,采用稳定的开关器件等技术和工艺,解决低压电路抗高速高压强电干扰。实现了用固体器件—场效应管,替代国外氢闸流管部分用途的功能。
简介:高功率微波(HPM)效应实验系统由微波辐射源、效应物和监测系统等组成。微波源产生并辐射电磁波,实验中的微波辐射源分为窄带微波源和超宽谱(UWB)源两种。实验效应物包括低噪高放、TR管、限幅器、混频器和微波组件——被动雷达探测系统RF装置等。详细介绍了这些微波器件和微波组件的基本组成、特性、工作原理和性能,同时介绍了不同效应物的实验系统、实验方法、效应现象和损伤判据。监测系统对目标状态、辐射源状态进行监视,在注入实验中对效应物的注入功率进行测量,在辐照实验中对目标附近的辐射场进行测试标定,为实验结果的分析提供数据。为避免损伤累积效应,损伤实验注入脉冲次数不超过4次。
简介:04372003010350环形斑激光束在非线性克尔介质中环半径的偏移现象=RadiusdeviatingofcirclespotlaserbeaminKerr-medium[刊,中]/苗润才(陕西师范大学物理学与信息技术学院,陕西.西安(710062)),叶青…//光子学报.-2002,31(7).-882-886对于非线性克尔介质中的环形斑调制光束,通过数值求值非线性Schr(o|¨)inger方程发现:当入射光强度超过一定值时,光束在传输过程中将发生环半径偏移现象。并对环半径偏移产生的条件、偏移的特点,以及自聚焦焦点上光强度的横向分布与环半径偏移之间的关系进行了详细的研究。图4参12(李瑞琴)