简介：
简介：用固相烧结法合成了管状Sb2Se3相变材料，并通过扫描电子显微镜（SEM）、X射线衍射仪（XRD）、透射电镜（TEM）、拉曼光谱仪（Raman）、热重分析（DSC）进行表征测试，结果表明成功制备出了正交晶系的Sb2Se3，计算所得晶格常数为a：11．6445A，b=11．792A，c=3．981A,；透射电镜结果说明Sb2Se3微米管晶体结构沿[001]方向择优生长；DSC测试Sb2Se3的熔点为624．5℃。同时本试验用固相烧结法制备了不同配比的Sb—Se材料，并用XRD和Raman表征测试了晶体结构.
简介：具有黄铜矿结构的CulnSe2（CIS）类薄膜太阳电池随着其转换效率的进一步提高，受到日益广泛的关注。相对于CIS材料，Cu（InAl）Se2（CIAS）具有更高的禁带宽度，可用比Ga合金更小的相对浓度来实现更可观的带隙，CIAS有望取代CIS成为薄膜太阳电池的新型材料。结合最新研究进展论述了CIAS薄膜材料的不同制备方法及合成机理，并讨论了目前CIAS太阳电池研究中存在的问题和今后的发展方向。
Relaxation Phenomenon of Te10Ge10Se80-xSbx Bulk Glassy System
Sb2Se3管状化合物的制备和表征
Cu（InAl）Se2薄膜太阳电池的研究进展
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