简介:<正>2012年对于中国注定是不平凡的一年,不仅是政治格局出现新变化,传统国家盈利模式也面临新拐点。中国站在一个新的十字路口上,要素基础的变化让中国将逐步告别依托于"储蓄过剩"的廉价资本时代,一直靠低价格补贴全球化红利的中国正走上一条要素价值重估的调整之路,中国必须超越低成本优势才能真正挖掘增长潜力。短期中国经济增长看需求面,但长期则看供给面,长期供给决定需求,需求的增长不能超过供给的能力,这是决定中国经济潜在经济增长的基本框架。30多年来中国以其低劳动力成本、低土地成本、低环境成本和较好的产业配套体系克服了资本边际收益递减的规律,使得中国成
简介:提出了一个基于商用65nm工艺在晶体管级设计抗辐射数字标准单元库的方法。因为当C单元的两个输入是不同的逻辑值时输出会进入高阻模式,并保持输出逻辑电平不变,而当输入端有相同的逻辑值时,C单元的功能就像一个反相器的特性。因此它有把因为辐射粒子引起的单粒子翻转(SEU)效应或单粒子传输(SET)效应所产生的毛刺滤除掉的能力。在这个标准单元库中包含了在晶体管级使用C单元设计了抗辐射的触发器,以便于芯片设计者可以使用这个库来设计具有更高抗辐射能力和减小面积、功耗和延迟的芯片。在最后为了能表征标准单元在硅片上的延迟特性,一个基于环形振荡器的芯片结构用来测量每个单元的延迟,以及验证抗辐射能力。延迟测量结果跟版图后仿真结果偏差在10%以内。