简介:VishayIntertechnology,Inc.日前发布新款采用热增强型PowerPAK@SO-8封装的新款N沟道TrenchFET功率MOSFET---SiR872ADP,将该公司的ThunderFET@技术的电压扩展至150V。VishaySiliconixSiR872ADP在IOV和7.5v下的导通电阻低至18m12和23mΩ,同时保持低栅极电荷,在10V和7.5V下的典型电荷为31nC和22.8nC。
简介:目前,市场上IGBT驱动器整体工作温度范围相差无几,普遍集中在-40-85度之间。随着电力电子技术的发展,对于能够在更低或者更高温度下稳定工作的电子产品需求越来越明显。
Vishay SiliconiX扩展ThunderFET的电压范围
落木源:推出工作温度范围-55—125℃大功率IGBT驱动器