简介：藉一年一度广州白天鹅音响唱片展举行之际，B&W将于展会期间在白天鹅宾馆3楼国际会议中心由厅展出及示范多款最新型号的音箱。届时，英国B&W公司设计工程师将亲临现场介绍B＆W各款斩产品的特点。

简介：

简介：CLASSECP-500前置放大器的电路采用全平衡式设计，机内走线遵循最短路径原则，电路板以四层优质玻璃纤维电路板制成，配以具有良好屏蔽的电源变压器，确保声音纯净无染。

简介：比亚迪日前发布公告称,比亚迪股份董事会通过了《关于拟对参股公司深圳腾势新能源汽车有限公司增资的议案》。比亚迪股份有限公司控股子公司比亚迪汽车工业有限公司对参股公司腾势新能源增资2亿元人民币,所有资金全部作为注册资本。增资完成后,公司通过控股子公司比亚迪汽车工业有限公司持有腾势新能源的股权将依旧保持为50%。

简介：在分析AIGaN／GaN沟道阱中电子迁移率、截止频率fT和噪声性能随电子气密度变化的基础上，研究了沟道电子态随电子密度的变化。发现在高电子密度下电子会向量子限制较弱的退局域态转移。同时还经由热电子隧穿而跃迁到表面态。在低电子密度下，沟道阱产生畸变而蜕化为三维态。运用这一电子态转换模型解释了输运噪声特性随电子气密度的变化。最后指出剪裁沟道右势垒可以弱化高、低电子气密度下输运和噪声性能的衰退。

简介：提出了一种积累型槽栅超势垒二极管，该二极管采用N型积累型MOSFET，通过MOSFET的体效应作用降低二极管势垒。当外加很小的正向电压时，在N＋区下方以及栅氧化层和N-区界面处形成电子积累的薄层，形成电子电流，进一步降低二极管正向压降；随着外加电压增大，P＋区、N-外延区和N＋衬底构成的PIN二极管开启，提供大电流。反向阻断时，MOSFET截止，PN结快速耗尽，利用反偏PN结来承担反向耐压。N型积累型MOSFET沟道长度由N＋区和N外延区间的N-区长度决定。仿真结果表明，在相同外延层厚度和浓度下，该结构器件的开启电压约为0.23V，远低于普通PIN二极管的开启电压，较肖特基二极管的开启电压降低约30%，泄漏电流比肖特基二极管小近50倍。

简介：首次提出在Ni中掺入夹层W的方法来提高NiSi的热稳定性。具有此结构的薄膜,经600-800℃快速热退火后,薄层电阻保持较低值,小于2Ω/。经Raman光谱分析表明,薄膜中只存在NiSi相,而没有NiSi2生成。Ni（W）Si的薄层电阻由低阻转变为高阻的温度在800℃以上,比没有掺W的镍硅化物转变温度的上限提高了100℃。Ni（W）Si/Si肖特基势垒二极管能够经受650-800℃不同温度的快速热退火,肖特基接触特性良好,肖特基势垒高度为0.65eV,理想因子接近于1。

简介：运动相机品牌GoPro联合GoogleJumpVR平台在2015年11月合作推出16目虚拟现实摄像机GoProOdyssey,其专业级的8K全景影片拍摄能力和较为高昂的售价,让关注这款产品爱好者爱恨交加。而今,面向准专业级用户的GoProOmni同步6摄像机阵列系统已经发布,相对较低的售价和技术门槛让GoPro借势进入民用级VR市场。

简介：<正>日本知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都)面向智能手机等便携设备开发出业界顶级的低VF小型肖特基势垒二极管"RBE系列"。本产品已经以月产500万个的规模开始量产,随着客户采用的增加,从2012年9月份开始将产能扩充为每月1000万个。此次,产品阵容中新增了更加小型的VML2封装(1.0×0.6mm)。通过这些

简介：2018年6月27日,在世界移动大会·上海(MWC上海)期间,中国联通携手爱立信、驭势科技,联合进行了国内首个5G超远程智能驾驶实车演示。此次演示依托5G网络超大带宽、超低时延和超高可靠的特性,在行业专家与多家媒体的共同见证下,成功展示了智能调度、远程驾驶和自动驾驶等业务应用,为5G网络在智能驾驶领域的应用取得了实质性的跨越,同时也标志着未来智能驾驶进入人们生活又迈出重要一步。