简介：Leica工业测量系统公司计量分部凭借其覆盖面广的工业测量产品而著称，包括激光跟踪仪与全能测量系统、高精度工业级经纬仪和全站仪，能够与通用的CAD文件、建造与检测工具以及逆向工程软件相融合。采用先进的激光测量技术，Leica工业计量产品能够更方便、更准确的完成质量控制、部件匹配、装配以及大小尺寸部件的制造等任务。

简介：Saint-GobainCeramicsandPlastics公司的一个生产厂家Warren／AmplexSuperabrasives借助其在工程和仪表领域中的有效资源来测量亚微米级，即0．02～0．125μm粒径范围内的金刚石粒度分布。

简介：福建省经济贸易委员会于2010年11月2日组织召开了由福建畅联电子有限公司研制开发的“PS-3多路恒电位仪”、“HPS-1高频开关恒电位仪”新产品及科技成果鉴定会。由中石油、中石化管道防腐蚀专家为主的鉴定委员会一致认为：上述产品设计新颖、合理，技术指标先进，整体技术达到国内领先水平。

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简介：介绍了PS-1恒电位仪在管道阴极保护系统中的应用，提出了判断恒电位仪故障顺序的方法，列举了应用这一方法处理恒电位仪故障的实例。

简介：柯尼卡美能达是全球知名的光学研发制造企业，从1997年起共陆续推出了542VIVID照相式激光二维扫描仪，是唯一实现了l套系统、3个镜头对物体形状进行测量的三维扫描仪12009年重磅推出了经过硬件升级的新一代的RANGE7，在进一步提高精度的基础上，实现了对黑色和高光泽物体扫描的突破，已经在铸造件、冲压件以及模具制造的研发、生产领域得到了很高的评价，

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简介：在工业4.0时代,随着汽车电器化的迅猛发展,全球汽车电子产业迎来了快速发展的黄金时期,越来越多的ECU控制单元和车载电器被应用在汽车中,由智能化、车载网驱动的汽车电子日益成长为产业热点。在汽车电子持续成长的行业大环境之下,汽车模块已经成为生益科技一个具有鲜明特色和市场成效的细分市场,汽车电子所用的高可靠性覆铜板材业务也成长为生益科技公司的突出亮点之一。汽车工业对于电子控制装置需求的日益成长和升级换代将引发对汽车用耐CAF基

简介：本文研究的目的是介绍了电子布织造的毛羽定义和形态,根据织机处产生毛羽的经纬向、左中右位置和形态不同,着重分析了电子布毛羽产生的要因分析及其改善对策。

简介：近日，欧美克正式收到了由国家科技部、国家商务部、国家质检总局、国家环保总局四部门联合授予“国家重点新产品”的证书，成为中国粒度仪行业唯一获此荣誉的企业。

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简介：美国国会政府责任办公室9月17日呼吁美国政府采取切实有效的措施，阻止电子垃圾出口。

简介：台湾富乔工业股份有限公司获投审会核准通过，将在广东东莞首期投入1500万美元（折合新台币4．5亿元），建一座电子级玻璃纤维布厂，预计2012年第四季度可投入生产。富乔现拥有二座电子纱厂与一座电子布厂，均位于台湾，而这次决定将生产基地延伸到中国大陆地区，主要就是因应客户需求以及就近服务客户，同时也为积极布局高阶电子薄布市场的重要策略，因此，未来东莞厂即定位专注生产超薄电子布（厚度为0．025mm以下）与特殊布种。目前富乔拥有75000吨的电子纱年产能，位于PPG玻璃纤维公司（年产能200000吨）和台湾玻璃工业公司（年产能80000吨）之后，居全球第三位。在美国和欧洲的电子纱市场各占30％份额。

简介：在环境问题日益严重的今天，绿色产品的概念被提了出来。本文根据电子产品的一些设计生产特点，在绿色设计概念的基础上，讨论了电子产品的绿色设计问题。绿色电子产品将成为本世纪世界市场的主导电子产品。如果现在不及时调整目前电子产品的设计方法与思路，以迎接绿色时代的挑战，

简介：超声电子（000823）2013年4月发布年报，2012年公司实现净利润1．87亿元，同比增加2．9％；营业收入36．41亿元，同比增加10．56％；每股收益0．4251元。公司拟每10股派现金红利1．2元（含税）。超声电子表示，受智能终端产品消费需求拉动，去年电容式触控显示模块销售增长,

简介：四川玻璃纤维有限责任公司投产1．2亿元（RMB）、计划引进180多台国际一流的喷气织机及全套后处理设备、年产3600万米2116电子布工程项目将于近日内全面开工。该项目建成后，公司的电子布总产能可接近8000万米。（危良才报道）

简介：本文以集成电路为代表介绍了元器件失效分析方法、流程、技术及发展，失效分析是元器件质量、可靠性保证的重要环节，随着元器件设计与制造技术的提高以及失效分析技术及分析工具水平的提高，对元器件失效模式及失效机理的认识逐步加深，失效分析工作将发挥更大的作用。

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简介：本文分析了电子的温度计外壳使用要求与结构特点。介绍了模具的总体结构特点及模具的动作原理，研究分析了设计模具零件结构参数的合理性，既保证了外壳产品的成型性和使用性，又使得模具结构简单，模具零件便于加工。

简介：本发明涉及一种用于制造半导体层或器件的衬底的制造方法，包括下述步骤：提供包括适合作用于CVD金刚石合成的衬底的至少一个第一表面的硅晶片；在所述硅晶片的第一表面上生长具有预定厚度并具有生长面的CVD金刚石层；将硅晶片的厚度减少至预定水平；以及在所述硅晶片上提供第二表面，