简介:随着电子整机的多功能化、小型化.半导体元器件装配用的基板线条也逐渐趋于微细化。印制电路板一般用的铜箔(以下称为一般铜箔)表面都经过了粗糙化处理.在蚀刻成为线路时.铜箔的粗糙化部分嵌入粘合结构中很难蚀刻干净.所以不适合制作精细线条的印制电路板。为此.日立化成公司研发成功了一种表面不进行粗糙化处理.表面粗糙度在1.5μm以下,表面较平滑适合于制作精细印制电路的铜箔(以下称无粗糙化铜箔)。一般认为.表面平滑的铜箔其抗剥强度较低:但这种新开发的铜箔表面经过了特殊处理.仍然与低轮廓铜箔相当,保持0.7kN/m以上的抗剥强度。采用这种无粗糙化铜箔.以减成法可蚀刻成60μm线宽的精细线路。并顺利地进行无电镀镍/金工艺作业.减少了对镀浓的污染。当前正处于高速度、大容量的信息化时代.使用这种新型铜箔的线路与一般铜箔者相比.同样是传输5GHz的信号,线路的衰减将降低8dB/m。此项技术将对商逮印制电路板基材的研发起到积极作用。
简介:为了分析含钒钛转炉渣氧压酸浸过程的热力学特点,根据高温水溶液中计算标准摩尔吉布斯自由能和活度系数的经验公式,通过计算得到了氧分压0.5MPa、对应离子的质量浓度0.1mol/kg、温度60~200℃条件下V-Ti-H2O系的电位-pH图。在pH〈2的酸性条件下,可溶性V3+,VO2+,VO2+的稳定区几乎全部包含在TiO2的稳定区范围内,随着温度由60℃升高到200℃,钒、钛稳定共存区对应的氧化还原电位逐渐增大,pH逐渐降低。钒、钛稳定区的共存特点从热力学角度为转炉渣采用氧压酸浸工艺通过一步酸浸将钒浸出的同时使钛富集在渣中提供了理论依据。含钒钛转炉渣的氧压酸浸实验结果表明,在浸出温度140℃、氧分压0.5MPa、粒度0.055~0.075mm、液固比15:1、浸出时间120min、搅拌速度500r/min、初酸浓度200g/L的条件下,钒的浸出率为96.87%,钛的浸出率为8.76%。钒与钛通过氧压酸浸工艺能够得到有效分离,实验结果与热力学计算结果一致。
简介:研究烧结温度对含Mn-Nb-Tb的Zn-V-O基陶瓷显微组织和压敏性能的影响。结果表明,随着烧结温度由875°C升高到950°C,烧结陶瓷样品的密度由5.55g/cm3降低到5.45g/cm3,其平均晶粒尺寸由4.1μm增大至8.8μm,击穿场强由7443V/cm显著降低至1064V/cm。经900°C烧结的压敏陶瓷样品具有明显的非线性特性,其非线性系数为49.4,漏电流密度为0.21mA/cm2。当烧结温度由875°C升高到950°C时,Zn-V-O基陶瓷样品的介电常数由440.1增大到2197.2,其损耗因数的变化范围为0.237-0.5。因此,本研究中Zn-V-O基陶瓷组分和烧结条件有利于以银为内电极的先进多层芯片压敏电阻的开发。