简介：2015年6月13日下午，在武汉光电国家实验室A101会议室，2015国际光学年·武汉光子周活动开幕式顺利举行，武汉光电国家实验室主任叶朝辉院士宣布开幕并作题为《精密测量是物理学发展的驱动力》的战略发展报告。

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简介：由中国光学学会和国际光学工程学会(SPIE)联合举办的2007亚洲光电子国际会议(PhotonicsAsia2007)将于2007年11月11～15日在中国北京召开。亚洲光电子会议是亚洲最大的光学、光电子学学术交流和产业交流的盛会。会议将对学科的最新发展趋势、技术应用、产品发布、市场分析、投资调研等各类问题进行广泛的讨论和交流。大会主席是中国光学学会理事长周炳琨院士和2007SPIE主席Mr.BrianCulshaw。王大珩院士和母国光院士担任大会名誉主席,庄松林院士、谢树森教授分别担任学术委员会主席和地方组委会主席,倪国强教授和丁伯瑜教授分别担任大会秘书长和大会执行秘书长。会议的承办单位

简介：超快透射电子显微镜（UltrafastTransmissionElectronMicroscopy,UTEM）是一种能够以纳米尺度空间分辨研究超快动力学过程的前沿技术。在哥廷根大学最新的研究进展里,建造了第一台具有高度相干性电子源的第三代UTEM。通过从纳米针尖发射局域的光电子,获得高度相干的电子脉冲,能够在样品处将电子斑聚焦到数个纳米,同时具有300fs的脉冲时间宽度。介绍了利用这种先进电子光源UTEM装置的几个应用：对坡莫合金薄膜的磁涡旋纳米图案进行实空间洛伦兹成像,打开应用UTEM进行超快磁性研究的大门;通过将电子脉冲聚焦到数个纳米,我们局域地探测单晶石墨薄膜上飞秒激光激发的声学声子在边缘的传播和演化;演示了自由传播电子束在激光驱动的近场中受光学相位调制产生的电子动量态相干叠加。

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简介：2010年11月3日～5日，由武汉光电国家实验室举办的第三届国际光子与光电子学会议（POEM2010）在武汉·中国光谷武汉科技会展中心成功召开。

简介：第五届国际光子与光电子学会议（InternationalPhotonicsandOptoElectronicsMeeting,POEM2012）于2012年11月1-2日在武汉光电国家实验室盛大召开。国际光子与光电子学会议是由武汉光电国家实验室发起的覆盖光电子领域的大规模、多学科、综合性、高水平国际会议。经过多年坚持不懈的努力，已经形成一个紧密依托“武汉·中国光谷”、汇集众多国内外知名专家、学者、学术机构和企业，集学术性和实用性于一体的高水平、高质量学术会议品牌。

简介：2013年5月25-26日，第六届国际光子与光电子会议（The6thInternationalPhotonicsandOp—toElectronicsMeetings，POEM2013）在武汉光电国家实验室召开。开幕式上，美国光学学会的首席执行官ElizabethA．Rogan女士和华中科技大学副校长、武汉光电国家实验室常务副主任骆清铭教授到会致辞。4名本领域权威专家作全体大会报告，分别是：澳大利亚科学院院士、工程院院士、国际电工委员会委员，澳大利亚新南威尔士大学教授及超高效光电学研究中心执行研究主任MartinGreen，澳大利亚科学院院士、工程院院士、澳大利亚桂冠院士

简介：第四届“中国光谷”国际光电子博览会暨论坛（OVCEXPO2005）已于2005年11月5日闭幕，这次盛会是OVCEXPO历史上规模最大、专业化程度最高、论坛质量最好的一次展会，在海内外取得了良好的口碑。四年的孕育再次证明，OVCEXPO的影响已从华人经济圈渗透到了全球经济圈，这更加坚实了OVCEXPO“追光”的脚步。在此我们诚挚邀请您在2006年11月2～5日参加第五届“中国光谷”国际光电子博览会暨论坛（OVCEXPO2006），交流信息、增进合作、共谋发展。

简介：首届中国国际应用激光、光电技术贸易博览会暨研讨会于3月21日至23日在上海新国际博览中心拉开帷幕。全场汇聚来自中、德、美、加、瑞以及中国台湾等18个国家和地区的163家展商参展。其中。国际展商占65％。展区分为激光元件和激光设备两大主题区域，涵盖了激光、光电子的整个产业链。展会期间还举办了国际应用激光技术中国研讨会等多场高质量的激光技术交流会议，触及激光产业最前沿。

简介：经过许多国家的努力，集电脑技术和声像技术于一体的多媒体技术，正在快步向实用化和市场化发展，并成为高科技新产品开发的重要技术基础．在不少国家，一机多用已开始普及，人们在充分享受电视机、录像机、电脑、电话和收录机等家电功能的同时，还可以用来欣赏或研究种种资料，阅读图、文、声并茂的电子杂志，实现电脑购物．尤其是近年来国际互联网服务的日益普及与完善，更使多媒体技术进入一个新的境界，使人们真正进入一个高效率的信息时代．

简介：美国国民半导体公司最近宣布该公司正在研制一种集十几种芯片功能于一体的功能一体化的新型芯片。这表明芯片的电脑可能因此产生一次变革。

简介：ZnCuInS/ZnS量子点是一种无重金属“绿色”半导体纳米材料。制备出了直径为2.9nm的ZnCuInS/ZnS核壳量子点。从ZnCuInS/ZnS量子点的吸收及光致发光光谱中可以看到,量子点的斯托克斯位移为410meV。这样大的斯托克斯位移表明,ZnCuInS/ZnS量子点的复合机制与缺陷能级有关。研究并计算了在辐射及非辐射驰豫过程的（Huang-Rhys）因子及平均声子能量。结果表明在50~373K范围内,能量带隙的变化以及光致发光光谱的增宽是分别由光从能带边缘向缺陷能级跃迁及载流子声子耦合导致的。

简介：考虑光场限制因子、温度变化和阱间载流子非均匀分布，给出A1GaInAs多量子阱增益求解的分析模型。对量子阱应变量、阱宽和载流子浓度对材料增益TE模和TM模的影响进行了分析。设计出C波段内增益低偏振相关的混合应变多量子阱结构。在15～45℃温度范围，其模式增益具有低的偏振相关性（2%以内）；当注入载流子浓度从2×10^24m^-3。增大到3×10^24m^-3时，模式增益逐渐增大，且能在一定温度下保持低的偏振相关（3％以内）。

简介：随着蓝宝石芯片从军用转向民用步伐的加快，它将给微电子产业带来一场革命，促进手提电话、计算机甚至卫星等电子产品实现微型化。预计到2000年左右，使用蓝宝石芯片的电子产品将陆续向世。

简介：针对液晶可调滤光器所处的空间热环境设计了热真空及高低温循环试验方案,旨在通过试验验证液晶可调滤光器在空间热环境下的器件光学性能。热环境试验的结果表明,液晶可调滤光器的光谱曲线较试验前仅漂移不超时0.1倍带宽,透过率降低不超过2%。为确保器件在空间温度环境下的性能更加可靠,又设计了液晶可调滤光器的热控改进方案,将工作温度控制在35±0.5℃。仿真结果表明LCTF器件经过合理的温控设计完全可以适应空间热环境。

简介：采用新型Epsilon探测器与热不敏红外镜头设计了小型化全自动中波红外光学系统。整体采用开放式框架结构形式，实现体积重量的小型化设计。红外光学系统采用热不敏设计，利用合理的焦距分配与材料搭配，充分消除系统热差，实现了无热化设计。系统采用上电后全自动工作模式，能够自动进行非均匀校正、积分时间调整、灵敏度调整与增益调整，从而能够实现无人操控式工作。光学系统的MTF值在30lp／mm处均在0．4以上，完全能够满足探测器分辨要求，设计像质优良，结构紧凑，具有良好的适用性。

简介：基于数字散斑干涉（DigitalSpecklePatternInterferometry,DSPI）成像原理,提出了一种利用空间相位移技术的材料三维变形检测系统。并以薄铝板为测试材料,在固定点机械受力条件下进行了热膨胀变形测试实验。通过对检测系统进行坐标标定和不同传感器图像间的相关运算,获取三个不同视觉方向图像之间各像素的匹配关系,然后对匹配好的图像进行滤波和解包裹处理,从而可解析出物体在形变过程中X、Y、Z三个方向的位移。结果表明所提出的方法可为非结构化环境下材料表面三维应变高精度检测提供了一种有效的方法。

简介：利用MOCVD技术，分别在图形化蓝宝石衬底（PSS）、沉积有AlN薄膜的图形化蓝宝石衬底（PSS-A）和经过选择性刻蚀掉部分AlN的AlN薄膜的图形化蓝宝石衬底（PSS-E）上外延生长GaN。在高倍金相显微镜下面观察了生长的表面形貌，利用AFM测量了外延片表面的粗糙度，对比分析了三种样品（002）面和（102）面XRD的FWHM，然后对三个样品切片，SEM观察了三种样品的剖面图，最终将三种样品衬底的外延片制备成相同产品，对比分析了样品的LED芯片的光电参数。

简介：随着信息化的不断深化和我军光电装备建设实现历史性突破，急需把握信息化条件下光电装备保障信息系统的新特点和规律。深入揭示了光电装备保障信息系统是提升光电装备保障能力水平的根本保证。在明确信息化光电装备保障内涵的基础上，分析了信息化光电装备保障系统的军事需求及体系能力，给出了信息化条件下光电装备保障信息对象、系统组成和基本功能，以及使用计算机和信息化技术设计光电装备保障信息系统的过程和关键技术。