简介：针对两种钛合金棒材连轧孔型系统——＂平三角-圆＂孔型系列Ⅰ和＂平三角-圆＂孔型系列Ⅱ,将Φ25mm的TC4钛合金棒材在八机架Y型连轧机组上轧制成Φ15mm的成品,基于对连轧过程的有限元模拟,结合钛合金棒连轧生产中常见的耳子、扭转、圆度差等问题,进而对这两种连轧孔型系统进行对比优化,选择合理的钛合金棒材连轧孔型系统以避免上述问题的产生,进而提高产品的形状精度和尺寸精度,并对工业生产起到一定的理论指导意义。

简介：2004年,对于力元公司而言是极不平常的一年.原辅材料价格的持续上涨,市场竞争压力的不断增大,以及电力紧张等诸多因素,对公司生产经营造成了较大的困难.

简介：通过自由基共聚的方法制备了聚偏氟乙烯-g-聚（N-异丙基丙烯酰胺）（PVDF—g-PNIPAAm）共聚物，进而采用浸没沉淀相转化法制备了PVDF—g—PNIPAAm共聚膜。采用超声时域反射法研究了不同凝固浴温度下PVDF—g-PNIPAAm的成膜动力学。结合PVDF—g—PNIPAAm的成膜动力学，研究了凝固浴温度对膜结构与性能的影响。结果表明，在不同凝固浴温度下，PVDF—g—PNIPAAm的成膜过程均由液液分相来控制，凝固浴温度为30℃时成膜时间最长，40℃时成膜时间最短；不同凝固浴温度下制备的PVDF—g—PNIPAAm共聚膜保持了PVDF的结晶特性，随着凝固浴温度的升高，结晶度降低。同PVDF—g—PNIPAAm共聚物相比，PNIPAAm在PVDF—g—PNIPAAm膜表面的含量更高，其中，30℃时所成膜表面的PNIPAAm含量最高。不同凝固浴温度下所成的膜均呈指状孔结构，其中，30℃下所成的膜指状孔最大，孔隙率最高。25℃下制备的PVDF—g—PNIPAAm膜具有明显的温度响应性能，其水通量在30℃附近有显著增加。

简介：

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简介：在室温200℃的范围内，对磁控溅射制备NZnO薄膜性能进行了研究。实验中，以ZnO为阴极靶材，通过温度调节器对基片溅射温度进行控制，以实现对ZnO溅射薄膜特性的控制。系统真空度为3×10^4Pa，溅射气压为5．5Pa，溅射时N90min，通过XRD进行表征，用Jade5．0软件分析，结果表明，制备出ZnO薄膜表面平整、结构致密，具有高度c轴择优取向；在室温200℃的范围内，随着温度的升高，（002）衍射峰的位置趋向34．4°。

简介：舟山明日纳米材料有限公司是我国最大的纳米材料生产基地,该公司以中科院固体物理研究所、化学研究所、上海硅酸盐研究所和北京航空研究院、南京大学、浙江大学等科研院所和大专院校为依托,专业从事被誉为“21世纪新材料”的纳米材料及下游制品的开发、生产和销售。

简介：美国休斯敦大学科学家们的研究发现了一种在非超导材料上诱发超导特性的方法，同时还可以增加已知超导材料的效率，对于提高超导体应用可行性是一个突破。

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简介：介绍了具有广阔应用前景的平板显示器件——场致发射显示板及其优良的显示性能。三极结构具有低压调制的优点，而后栅极场致发射显示板更具有结构简单、发射均匀性好的优势。采用丝网印刷工艺成功地制作了后栅极场致发射显示板，利用碳纳米管作为阴极材料，并对介质层厚度对器件的影响、老炼、发光均匀性等问题进行了探讨。

简介：所属领域新材料领域项目简介国家“863”支持项目采用一种新的制造技术，制造〈110〉轴向取向多晶棒材，在5MPa预应力和5000e磁场下的磁致伸缩系数达／／=950～1150ppm，重复性好，一致性高，工艺易于控制，成品率高。已获国家发明专利，拥有自主知识产权。

简介：日本北陆先端科学技术大学院大学开发出了耐热温度超过300℃的植物性树脂。植物性树脂目前正逐渐应用于手机、个人电脑外壳，但存在耐热性能低的课题。以聚乳酸为主要成分的一般植物性树脂的耐热温度为60℃左右。因此，在实际应用时大多会通过混合石油系树脂和矿物提高耐热性。

简介：为了克服用Fe（NO3）3、Mg（NO3）2体系催化剂自由生长出的碳纳米管缠绕程度较严重，分布不均匀的缺点，采用丝网印刷催化剂的方法将其印刷在石英、硅和钛三种不同的基底上，结果表明，在石英基底上，用CVD法制备的碳纳米管分布较均匀，有效地克服了团聚现象，并用其作为场发射的阴极进行场发射实验，实验表明，该阴极开启场为2．2V／μm，在电场强度为3．0V／μm下，阳极电流为46．6uA，场发射电流稳定，波动小于5％。该阴极可望应用于场致发射显示器、液晶显示的背光源、照明光源等器件。

简介：分析了复合导电材料的导电机理,阐述了关于复合型导电高分子材料电阻-温度效应产生机理的研究进展.指出了导电填料的种类、含量以及高分子基体的结构等因素对电阻-温度效应的影响程度.通过对填料和基体进行改性和表面处理能有效提高温度效应的强度、稳定性和重复性.还概述了相关电阻温度效应的计算模型.

简介：采用PECVD（等离子体增强化学气相沉积）技术在不锈钢或玻璃衬底上制备微晶Si（硅）薄膜，研究沉积温度对PECVD法所制备的微晶硅薄膜性质的影响。从实验结果中可以看出，随着沉积腔内沉积温度的不断升高，微晶硅薄膜晶化率、晶粒尺寸在200-400℃范围内不断增加。当沉积温度为400℃时，薄膜的晶化率、晶粒尺寸得到显著提高，当沉积温度超过500℃时，薄膜的晶化率、晶粒尺寸反而略有下降。在本实验室条件下，沉积温度为400℃时十分有利于硅薄膜由非晶硅转化为微晶硅。

简介：通过低压化学气相沉积法在硅片上制作碳纳米管薄膜阴极,用真空荧光显示器的封装工艺,制备了碳纳米管场发射显示器试验性样管。比较测试可知,直接测量显示屏的器件电压和测试电源驱动电压所得结果是不同的,用后者代替前者不够合理。通过光亮度与电压、电流、功率的关系曲线比较分析可知,用光亮度与电流成线性关系的结论表征碳纳米管场发射显示屏的性能比用电压更合理,更利于器件的分析和设计。

简介：用化学腐蚀方法织构多晶硅片表面,通过调整制程参数获得腐蚀温度分别为12℃、17℃、22℃、29℃的4组样品,利用扫描电子显微镜（SEM）分析化学腐蚀后多晶硅片表面状态,通过反射谱的测试,分析了多晶硅片表面陷光效果,研究腐蚀温度与后续各制程参数的关系.结果表明：随着腐蚀温度的升高,绒面反射率、镀膜膜厚逐渐升高,开路电压、填充因子逐渐增大,短路电流逐渐减小,最终确定了最佳的腐蚀温度.

简介：以变形条件对圆环链临界损伤因子的影响为主要研究目标，确立物理试验与数值模拟仿真相互佐证寻求临界损伤因子的基本思路，完成不同温度和应变速率条件下多组试样的热物理模拟拉伸试验，利用采集到的参数完成试验的仿真再现，研究温度／机械载荷作用下刨链的强度和寿命特征。结果表明，最大损伤值总是出现在圆环链的肩部，损伤软化现象对应变速率较为敏感，临界损伤因子不是一个常数，而是在0．15～0．54范围内。

简介：福建物质结构研究所中科院光电材料化学与物理重点实验室叶宁研究员领导的课题组在国家自然科学基金和中科院重要方向项目的资助下，以同样是具有平面三角形结构的碳酸盐为研究对象，通过精确控制晶格中碱金属和碱土金属阳离子的相对大小，实现了CO，结构基团共面平行排列，获得了一系列非线性光学效应为3～4倍KDP的系列碳酸盐晶体

简介：为同时实现电子信息装备正常电磁环境下工作和强电磁脉冲下电磁防护的双重功能,介绍了一种在电磁场下具有变阻抗特性的智能电磁防护材料,场致电阻材料.该防护材料利用其在强电磁场下发生绝缘体/导体相变的特性,可以实现在强电磁脉冲辐射下防护材料由高阻抗向低阻抗的转变.场致电阻材料用于电磁防护具有电磁能量选择特性,对于低功率的安全电磁波可以高效透射,而对高功率的电磁脉冲则有效屏蔽,从而达到快速感知电磁环境变化并迅速调节电磁性能的要求.介绍了几种场致电阻材料,分析了其在电磁脉冲防护领域中应用的优缺点,并对未来强电磁脉冲防护材料的发展进行了展望。