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7 个结果
  • 简介:采用表面机械研磨处理(SMAT)技术实现了38CrMoAl钢的表面纳米化,并对表面纳米化后的样品进行了490℃离子碳共。采用扫描电镜、X-衍射、透射电镜、显微硬度仪等分析和测试手段,对处理后的样品进行观察分析及性能测试。结果表明:经SMAT处理的样品实现了低温离子碳共,层中渗入较多的、碳原子,并析出大量细小的高硬度化合物,获得了较好的硬度分布。

  • 标签: 表面机械研磨(SMAT) 38CRMOAL钢 离子氮碳共渗
  • 简介:采用化学气相沉积(CVD)法,以高纯ZnO和活性C混合粉末为原料,以NH3为掺杂气体,在Si(111)衬底上制备了N掺杂的ZnO纳米线阵列,用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、拉曼光谱对样品进行分析,结果表明,氮气的掺杂过程对生长N掺杂的ZnO纳米线阵列有一定的影响。除此之外,N掺杂的ZnO纳微米p-n结被合成,表现出很明显的整流特性。

  • 标签: ZNO 氮掺杂 P-N结 化学气相沉积
  • 简介:以中间相沥青浸渍整体碳毡发泡技术制备的一种新型多孔C/C泡沫复合材料为预制体,通过液相硅浸(LSI)工艺制备了C/SiC复合材料,研究了预制体不同孔隙率对si浸及C/SiC复合材料力学性能和微观形貌的影响,分析了复合材料的物相组成和晶体结构。结果表明,采用发泡技术可以快速有效地实现C/C预制体的致密化处理。预制体孔隙率为65.41%时液相硅浸处理后所得复合材料性能最好,密度为2.64g/cm3,弯曲强度为137MPa,弹性模量为150GPa。纤维未作表面抗硅化涂层处理以及复合材料中存在闭孔是C/SiC复合材料性能不佳的主要原因。

  • 标签: C泡沫 液相硅浸渗 C/SIC 孔隙率
  • 简介:无压浸法是一类先进的金属基复合材料制备方法。总结了无压浸方法制备陶瓷增强金属基复合材料的工艺特点及国内外的研究现状,分析了影响无压浸工艺的主要因素及存在的问题,探讨了该工艺的可能机理,并指出了该工艺存在的问题和今后的研究重点。

  • 标签: 无压浸渗 金属基复合材料 浸渗机理
  • 简介:中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室许智、王文龙、白雪冬、王恩哥等人提出了一种新的方法,在生长单壁碳纳米管过程中,原位进行硼(B)、(N)共掺杂,实验和理论研究发现,硼、共掺杂使金属性碳纳米管转变为半导体。该工作得到了国家科技部、中科院和同家自然科学基金委的资助。本相关研究结果发表在近期的AdvancedMaterials20,3615(2008)上。AsiaMaterials对该成果以标题“Dopingcarbonnanotubes”作为研究亮点进行了报道。

  • 标签: 单壁碳纳米管 共掺杂 半导体 金属性 中国科学院物理研究所 国家实验室