简介：在450℃反应温度下，利用无水三氯化铝与叠氮化钠在25mL的不锈钢反应釜中直接反应，成功地在硅片衬底上制备了六方单晶氮化铝（h—AlN）纳米线有序阵列。这些纳米线呈长直线状，粗细均匀，直径约为100nm，长度均在几个微米以上。所有纳米线生长方向一致，而且与硅片衬底垂直。经过分析，纳米线由气液固机制生长而成.

简介：以三氯化铝和叠氮化钠为原料，利用复分解反应法在温度为650℃条件下反应3h，成功地制备出呈灰白色粉末的一维单晶氮化铝纳米材料，通过对样品进行XRD、TEM和SAED测试，结果表明，样品为表面光滑的长直形圆柱状六方结构的氮化铝，直径为50nm左右，长度在几个微米以上，晶格常数分别为a=0．268nm，c=0．498nm；AlN紫外吸收谱的研究表明，AlN样品在202nm处具有一个尖锐吸收峰，其对应禁带宽度值约为6．14eV，并采用气-固（VS）生长机理、择优取向原理对一维单晶纳米线的生长进行了解释。

简介：使用第一原理计算六方氮化硼和立方氮化硼在合成温度和压力（1200-2100K,4.0-8.0GPa）下的晶格常数.计算所得的六方氮化硼和立方氮化硼的晶格常数a与已有的实验值相吻合,相对误差分别为2.50%和1.53%.同时,六方氮化硼晶格常数c值的最大相对误差为7.53%,其误差也在合理的范围内.实验结果表明随着温度升高,六方氮化硼和立方氮化硼晶格常数缓慢升高;而随着压力升高,晶格常数线性降低.

简介：钪强化铝合金是新一代高性能合金，它比高强度铝合金显示出若干优越性。它比其他高强度合金坚固得多，表现出明显的晶粒细化、焊缝牢固、在焊缝中不存在热裂缝。这种合金抗蚀能力强。钪强化铝合金可用于宇航及体育器材，交通等领域。

简介：氮化钛（TiN）是近年来发展起来的一种新型无机材料，具有优良的物理和化学性质。介绍了新型材料氮化钛的结构、性质、用途以及近年来国内外对氮化钛粉体制备方法的研究进展，同时引述了一些制备经验，并展述了工艺流程与产物表征结果等。

简介：片状氧化铝粉体以其优越的性能广泛应用于陶瓷、化妆品、汽车漆料等多种领域。采用熔盐法以γ-Al2O3为原料、复合硫酸盐（分析纯Na2SO4-K2SO4）为熔盐。添加一定量的添加剂．在1200℃×3h制得粒径为4～10μm、厚度约0．2μm的片状氧化铝粉体。

简介：

简介：美国海军研究实验室（NRL）已经证明能够生长过渡金属氮化物Nb2N（氮化铌）薄膜。该薄晶体材料具有与氮化镓（GaN）相似的结构，但其电学和物理性质却显着不同。

简介：据海外媒体报道，因国内铝价高企，与伦敦交易所金属的价格差距缩小，中国9月氧化铝进口比8月进口增加了一倍多。

简介：用粒径为20nm的纳米氮化硅（Si3N4）填充丁腈橡胶（NBR）制备纳米橡胶复合材料，用16^#大分子偶联剂对纳米Si3N4进行表面处理，研究了复合材料的力学性能和热老化性能等。结果表明，纳米Si3N4的加入在一定程度上提高了NBR的撕裂强度、拉伸强度、耐磨性等，明显降低内耗，改善了橡胶的动态力学性能和耐热老化性能；初步的台架试验显示，添加0．5-1．5质量份左右纳米Si3N4的NBR油封制品使用寿命得到大幅提高。

简介：比利时研究中心（IMEC）推出一项联合开发计划（IIAP：industrialaitiliationprogram），目标是降低氮化镓（GaN）技术成本，采用大直径的硅基氮化镓（GaN-on-Si），并开发高效率、大功率白光LED，致力于推动氮化镓技术的发展，包括功率转换和固态照明（SSL）应用。

简介：在水、辛烷基苯酚聚氧乙烯醚(TritonX-100)、正丁醇、环己烷组成的微乳液体系中,制备并表征了氧化铝—氧化锆纳米复合颗粒。分别用透射电镜、X射线衍射、红外以及热分析表征60℃真空干燥和500℃热处理后的粉末,表明60℃真空干燥后,粉末以无定形为主;500℃时粉末粒径为5nm左右,主要是t-ZrO_2,Al_2O_3以固熔体形式存在。

简介：美国宇航局格林研究中心开发出一种技术用于提高钡钙铝硅酸盐玻璃的力学特性，后者是平面固体氧化物燃料电池的密封材料。用氮化硼纳米管（BNNT）强化的玻璃复合材料的断裂强度及断裂韧性获得极大改善。例如，向玻璃中掺入4wt％BNNT可使强度提高90％，使断裂韧性提高35％。掺有4wt％BNNT的玻璃板经热压并加工成测试条。测量了力学和物理特性，如四点弯曲强度、断裂韧性、弹性模量、微硬度、玻璃复合材料的密度等。断裂韧性是用单刃V形沟槽横梁法测量的。

简介：在高温高压下的氮化锂-六方氮化硼（Li3N-hBN）体系中合成立方氮化硼（cBN）单晶,通过表征实验样品发现,生长界面处的相结构是由hBN、cBN微颗粒和硼氮化锂（Li3BN2）组成的,大颗粒cBN单晶通过吞并生长界面周围的cBN微颗粒进行生长,生长界面中的硼和氮原子的电子结构从sp2逐渐转变为sp3,根据结果推断,高温高压状态下,在立方氮化硼合成过程中,cBN更有可能是在Li3BN2的催化下由hBN直接转变而来.

简介：以硫酸和草酸溶液为电解液，采用二次阳极氧化法制备出高度长程有序的纳米孔氧化铝（AAO）模板，并结合扫描电子显微镜（SEM）对其微观结构及形貌进行了观察和表征。通过研究不同的氧化电压和电解液浓度对AAO模板纳米孔形貌（孔径、孔间距、面密度和长程有序性）的影响，得到了最佳的氧化电压和电解液浓度。

简介：

简介：用十六烷基三甲基溴化铵／正丁醇／环己烷／盐水反相微乳液体系制备出了纳米级不同粒径的球形氧化铝粉体，运用TG—DSC、SEM、XRD等手段对氧化铝及其前驱体进行表征，结果表明，通过改变水与表面活性剂的摩尔比（ω），可实现球形纳米氧化铝粉体粒径的可控操作，并且具有分布均匀、分散性好和无团聚的特征。

简介：通过第一性原理计算可以预测材料的组分、结构与性能，设计具有特定性能的新材料，甚至可以模拟实验无法实现的工作。密度泛函理论巧妙地将电子之间的交换相关势表示为密度泛函，使得薛定谔方程在考虑了电子之间的复杂作用后，依然可以利用自洽的方法求解。利用CASTEP软件在不同机制下计算了立方氮化硼的能带结构、电荷密度分布、状态密度、折射率谱、反射率谱、吸收谱。

简介：以三聚氰胺为前驱体，在氮气保护下进行高温热处理，借助X射线衍射、红外光谱、元素分析手段对产物进行表征。结果表明，在较低的400℃进行热处理时，前驱体中的N、H原子即开始选出，产物中有层状g—csN4的衍射峰出现，但是前驱体分解不完全。在500℃及高于500℃进行热处理时，可制备出纯态的g-C3N4，并且随着热处理温度的逐渐升高，所得产物的氮、碳原予比及其结构与理想层状石墨相g-C3N4差异逐渐减小。

简介：美国摩根技术陶瓷公司以99．8％的氧化铝为原料开发出高纯度、耐腐蚀的氧化铝半导体，可用于制造的半导体芯片。其使氧化铝半导化的基本原理是通过严格控制供应，消除游离在晶界二氧化硅。产品良好的抗热震性及高纯度氧化铝能使它能够承受高温及温度的周期性变化。公司计划运用这一技术来开发一些半导体组件。