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  • 简介:中科院合肥物质科学研究院智能所刘锦淮研究员牵头开展的科技部国家重大研究计划项目“应用纳米技术去除饮用水中微污染的基础研究”和纳米试剂盒技术,可快速检测并清除污染。这套包括新型纳米材料及配套处理程序的技术对控制饮用水源砷、氟等污染具有重要意义。

  • 标签: 水净化技术 微污染物 纳米技术 饮用水源 合肥物质科学研究院 基础研究
  • 简介:利用正相和反相胶束介质模板制备的纳米TiO2为光催化剂,在紫外光照射下,对染料罗丹明B和有机有毒无色小分子2,4-二氯苯酚进行光催化降解,研究了其光催化性能,并对光催化过程中氧化物种及降解产物进行了跟踪测定,结果表明,反相胶束模板体系制备的纳米TiO2与正相胶束介质制备的纳米TiO2比较,在紫外照射下对RhB及DCP的降解有较好的光催化性能,对RhB在160min光催化矿化率可达95%,光催化反应主要的氧化物种涉及羟基自由基。

  • 标签: 反相胶束 二氧化钛 光催化
  • 简介:系统介绍了CO2、SO2、NOx等几种主要酸性污染气体的处理技术,重点论述了活性炭在酸性污染气体治理中的应用,详细介绍了影响单一吸附技术效果的主要因素和复合吸附技术的主要改性方式。

  • 标签: 活性炭 酸性污染气体 单一吸附 复合吸附
  • 简介:我国钻井岩芯的气体采集方法有了实质性创新。从中国地质调查局油气资源调查中心获悉,由该中心技术人员研制出的两种适用于陆域天然气水合钻探现场岩芯气体的采集方法提高了野外工作的效率和采集气体样品的质量,并具有操作简便等优点。

  • 标签: 天然气水合物 采集技术 气体采集 钻井岩芯 创新 中国地质调查局
  • 简介:德国蒂森克虏泊公司设计出一种拥有高抗蠕变强度和疲劳强度的合金。这是一种由镍、钼、钴、钨组合成的,用于制造气体涡轮的材料。添加20%的铬可使合金耐受高温浸蚀。铝和钛也可通过金属间化合NiX(Al,Ti)的弥散作用提高材料的抗蠕变强度。但是这些元素必须细心控制,过高浓度的金属间化合浓度可能使合金变脆,

  • 标签: 气体涡轮 材料 金属间化合物 抗蠕变强度 机用 疲劳强度
  • 简介:纳米气体传感器创新厂商AerNos近日宣布,它们开发出了一款微型、高精度、经济型纳米气体传感器,能够同时探测多种ppb级(十亿分之一)的有害气体,这款气体传感器专为联网互联设备集成而设计。

  • 标签: 纳米传感器 有害气体 气体传感器 检测 ppb级 设备集成
  • 简介:据报道,富士通实验室宣布,基于石墨烯应用的全新原理,他们成功开发出世界首个具有极高灵敏度的石墨烯气体传感器。这项成果为研制可快速、精确测量气体成分的便携式设备铺平了道路。而这些设备可用于大气污染的监测以及人体呼出的有机衍生气体的检测。

  • 标签: 气体传感器 石墨 世界 便携式设备 大气污染物 高灵敏度
  • 简介:新加坡南洋理工学院科研人员日前开发出一款海绵状纳米二氧化钛化学气体感应器,其敏感度高,探测能力强,且成本更低廉。负责这项研究的萨曼博士表示,目前市场上的化学气体感应器只能测出3种不同气体,而这种新感应器能同时测出10种不同气体,商业价值高。此外,目前市场上的感应器核心元件多是用硅制造,价钱相当昂贵,而他们研制的感应器的核心元件使用的是海绵状纳米二氧化钛,这使感应器成本大大降低。

  • 标签: 化学气体 感应器 新加坡 高灵敏度 开发 纳米二氧化钛
  • 简介:南非复合材料市场较为成熟,在原材料生产和复合材料制造方面都具有很好的投资潜力。由于相对低廉的劳动力成本,南非复合材料的厂商可能在不远的将来获得出口北美和欧洲的巨大商机。南非除可提供稳定的供货渠道至撒哈拉以南非洲外,还拥有4,200万消费者的本土市场,在新一年中他们的净收入会有平稳地增长。

  • 标签: 南非 复合材料工业 投资潜力 劳动力成本 投资计划
  • 简介:广东江门誉洋特种电池有限公司采用复合硅盐胶体代替硫酸作电解质,使蓄电池的生产、使用、报废过程均不产生酸雾及腐蚀性气体,从根本上克服了铅酸蓄电池不可避免的酸污染,有可能彻底解决蓄电池酸污染的世界难题。

  • 标签: 中国 蓄电池 酸污染 硅盐胶体 电解质
  • 简介:国际半导体工艺指南(ITRS)的组织者们,迄今仍主要关注SiCMOS器件,但也在考虑非数字、非Si器件的应用,例如,无线通信。就数字电路来说,HRS的组织者们也不得不寻找Si以外的材料,在ITRS的最新版(2005年版)中,有这样的评论:随着本“指南”接近末期,器件将按准弹道模式工作,其电流增益将按与目前所知不同的参数得以增强,实际上碳纳米管、纳米线和其它高输运沟道材料(例如,Ge、Si衬底上的Ⅲ-Ⅴ族化合薄膜沟道)是需要的。这一陈述是记载在“长期指南(2014-2020年)”部分。“准弹道”意味着载流子平均自由程和驰豫时间达到器件特征尺寸量级和工作频率量级。同时需建立新的电荷输运物理模型。

  • 标签: Ⅲ-Ⅴ族化合物 数字器件 SI衬底 CMOS器件 电荷输运 半导体工艺