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6 个结果
  • 简介:本文在简要介绍概念图相关背景知识及其应用软件Inspiration整合教学功能的基础上,结合一线实践案例,对以概念图Inspiration为支架的物理整合教学进行了深人论述.

  • 标签: 概念图 INSPIRATION 物理整合教学
  • 简介:对比了顶部凹陷锥柱形隔膜和无顶部凹陷结构锥柱形隔膜的翻转特性,分析了凹陷深度、锥角、隔膜厚度等结构特征参数对顶部凹陷锥柱形隔膜翻转特性的影响规律。结果表明:凹陷深度只会影响隔膜翻转的初始屈曲状态,锥角主要对后屈曲状态产生影响,隔膜厚度则对整个翻转过程产生影响。与无顶部凹陷锥柱形隔膜相比,顶部凹陷锥柱形隔膜更容易出现偏心、褶皱等失效行为。

  • 标签: 顶部凹陷结构 隔膜翻转 屈曲 后屈曲
  • 简介:翻转课堂改变了传统教学模式,将学习的主动权交付于学生。学生根据学习任务和学习兴趣,自主的安排学习。本文借鉴已有的翻转课堂成功案例,针对本校学生的特点,探讨翻转课堂下C语言程序设计课程的教学方案设计,旨在综合利用已有的教学视频资源,开发一套翻转课堂下适用于本校学生的C语言程序设计课程体系。

  • 标签: 翻转课堂 C语言 教学方案
  • 简介:建立了单粒子多位翻转的测试方法和数据处理方法,在此基础上开展了体硅90nmSRAM重离子单粒子多位翻转的实验研究。通过分析单粒子多位翻转百分比、均值、尺寸等参数随线性能量转移(linearenergytransfer,LET)的变化关系,表明了纳米尺度下器件单粒子多位翻转的严重性,指出了单粒子多位翻转对现有重离子单粒子效应实验方法和预估方法带来的影响。构建了包含多个存储单元的全三维器件模型,数值模拟研究了不同阱接触布放位置对单粒子多位翻转电荷收集的影响机制,表明阱电势扰动触发多单元双极放大机制是导致单粒子多位翻转的主要因素,减小阱接触与存储单元之间的距离是降低单粒子多位翻转的有效方法。

  • 标签: 90nm SRAM 单粒子多位翻转 阱电势扰动 寄生双极放大
  • 简介:为提高铁电薄膜的电性能,建立了一个相场理论模型,系统研究了斜切基底对铁电薄膜电畴结构及电学性能的调控机理。利用该模型,分别研究了PbTiO_3在平面基底和倾角为2°,4°,6°SrTiO_3斜切基底上的电学性能。模拟结果表明:生长在斜切基底上的铁电薄膜中的应力分布、电畴结构及畴翻转不同于生长于平面基底上的铁电薄膜。在斜切基底的束缚作用下,铁电薄膜内靠近斜切台阶处产生了应力集中,产生的非均匀应变是改变铁电薄膜性质的主要因素。在台阶高度固定的情况下,PbTiO_3铁电薄膜矫顽场随斜切基底的倾角增大而变大,极化稳定性增强。

  • 标签: 铁电薄膜 界面效应 相场模拟 斜切基底
  • 简介:翻转课堂”和“问题导学”在实施的过程中各自存在着一些缺陷,将“翻转课堂”和“问题导学”结合,可将二者的优势互补达到更好的教学效果。本文以《超重与失重》的课堂实践为例,对“翻转课堂”和“问题导学”结合的高中物理课堂教学实践进行探讨。

  • 标签: 翻转课堂 问题导学 微课