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12 个结果
  • 简介:在阻尼结构的设计过程中,常常需要根据实际情况,合理确定各项参数,以达到提高阻尼对振动能量的损耗率、增强阻尼刚度的目的。阻尼中应变能与损耗因子的关系为η^(r)=ηeVE^(r)/V^(r)+ηV/Vv^(r)/V^(r)(1)式中:V^(r)是阻尼结构第r阶的总变形能;VE^(r),Vv^(r)分别是弹性材料、黏弹性材料第r阶的变形能。

  • 标签: 优化设计 阻尼层 黏弹性材料 圆板 复合 阻尼结构
  • 简介:根据锁定放大器的工作原理,提出了利用锁定放大器检测微弱信号的实验方法。并指出了影响测量的几个参数。

  • 标签: 锁定放大 实验方法 参数 微弱信号
  • 简介:大型激光装置的聚焦光斑的光强均匀性、能量利用率和旁瓣等都有非常苛刻的要求:能量利用率需大于90%;不均匀性小于5%而且要求激光束旁瓣非常小。就当今光学技术水平而言,由于光学元件的制作精度、材料的非均匀性以及高功率激光的非线性效应等共同影响,使得激光装置输出的激光束无法满足要求。

  • 标签: 制作工艺 理论设计 相位板 大型激光装置 能量利用率 光强均匀性
  • 简介:为了研究不同姿态的动能杆条对靶的毁伤效应以及杆条姿态对靶毁伤效应的影响,采用数值模拟的方式,对长径比L/D=10,速度V0=0.8-2km/s的动能杆条在大攻角、大着角范围内的穿甲问题进行了研究。杆条穿靶的示意图如图1(a)所示。图中杆条为20号钢,直径D=φ10,初始质量M0=61.7g,靶板材料为硬铝,厚度H=20mm。杆条速度方向如图所示,

  • 标签: 动能杆 数值模拟 靶板 毁伤效应 穿甲计算
  • 简介:基于激光辐照金属靶的热传导模型和高能激光作用下金属靶的损伤特征,提出了小光斑激光测量金属靶损伤阈值的实验方法,理论分析了靶单元尺寸和光强分布对测量结果的影响。分析表明:光强分布是影响小光斑激光测量结果的主要因素,通过调制激光强度分布,可准确测量金属靶的损伤阈值。利用大功率光纤激光器,实验测量了硬铝靶的损伤阈值,分析了主要的不确定度来源。结果表明:该方法简单易行,适用范围广,可为金属靶损伤阈值的测量及抗激光损伤能力的评估提供参考。

  • 标签: 高能激光 损伤阈值 金属靶板 参数测量 激光辐照
  • 简介:原流化床干燥实验装置没有布置气体分布,使得床层内存在很大的死角,难以形成较佳的床内流场分布,导致学生做实验时所测得的临界含水率增大,干燥速率变小,干燥速度曲线恒速干燥阶段无法确定,鉴于此,采用双层直流式锥形孔气体分布改进了原流化床干燥实验装置。FLUNET数值模拟分析发现,经改进后,热空气在颗粒床层内分布的均匀性显著提高,其扩散范围明显扩大,流速更加趋于稳定,则进出口的速度差显著地降低了,减小为原实验装置的0.072倍,从而使热空气更均匀地干燥床层内的固体颗粒变色硅胶,可减小实验误差,提高实验结果的准确率。

  • 标签: 流化床干燥实验装置 气体分布板 改进 数值模拟 实验精度
  • 简介:本文首先介绍了印制电路及其课程的培养目标,其次介绍了采用项目教学法的教学步骤,并以"+5V直流稳压电源电路设计与制作"为例,阐述了采用项目教学法的教学过程,并与传统教学法的教学效果进行对比,最后介绍了使用项目教学法时的注意事项。

  • 标签: 印制电路板 项目教学法
  • 简介:分析了装配误差引起的相位倾斜对波前编码系统的影响,通过坐标变换推导了相应条件下的广义光瞳函数。结果表明:倾斜因子对系统的相位系数具有放大效果,其随倾斜角绝对值的增大而增大,而与倾斜角的正负无关。相位倾斜会放大系统点扩散函数包络面的两条直角边,相应地降低其光学传递函数值。在子午倾斜的条件下,子午方向的相位系数放大效果大于弧矢方向,从而导致点扩散函数包络面在子午方向的放大效果大于弧矢方向,子午方向光学传递函数值的降低效果大于弧矢方向。采用MATLAB以及商用光学软件进行仿真实验,验证了上述结论。

  • 标签: 波前编码 三次相位板 倾斜 点扩散函数 调制传递函数
  • 简介:变像管相机是唯一具有时空二维观测能力的超高速光电测试设备,时间分辨本领几个秒乃至亚秒,空间分辨本领几十微米。该产品能把微弱的瞬态光通过光学成像系统投射到变像管的光阴极转换成在数量上和光强成正比的电子,再经高速线性扫描电场扫开轰击荧光屏成像,最后采集到CCD相机,

  • 标签: 变像管相机 时间分辨率 亚皮秒 光学成像系统 分辨本领 CCD相机
  • 简介:利用10MeV质子对130nm部分耗尽SOIMOS器件进行辐照,测试了在不同辐照吸收剂量下,器件的辐射诱导泄漏电流和栅氧时击穿寿命等参数,分析了质子辐照对器件TDDB可靠性的影响.结果表明:质子辐照器件时,在Si-SiO2界面产生的界面陷阱电荷,增加了电子跃迁的势鱼高度,减少了电荷向栅极的注入,减小了器件的RILC,增加了器件的TDDB寿命.

  • 标签: 辐射诱导泄漏电流 栅氧经时击穿 可靠性 质子辐照 部分耗尽SOI