简介：设计了一种结构简单、噪声低、功耗小的溴化镧（LaBr3：Ce）γ谱仪前端读出电子学电路。该电路包括电压灵敏前置放大电路、谱仪放大电路和供电电源3部分，电路的设计基于传统核电子学方法和较新的电子元器件，采用低噪声设计技术，在能谱测量中获得了较高的能量分辨率。文中首先介绍了电路的设计方案，包括各部分电路原理、功能和设计要点；然后开展了电路仿真和电路板设计；最后通过实验进行电路功能验证。实验表明：基于研制的前端读出电子学电路、溴化镧（LaBr3：Ce）探测器及数字多道分析器组成的γ谱仪系统，对137Cs662keVγ能峰的能量分辨率可达2.7%，谱仪系统性能稳定。

简介：介绍了辐射模拟加速器辐射场中脉冲X射线能谱的几种常用测量方法，阐述了基本原理、测量装置的典型系统组成、主要参数特性、技术发展状况和研究进展，描述了各种方法的优缺点和适用范围。以吸收法为例，综述了解谱技术的发展状况，并描述了多种解谱方法的特点。最后，重点介绍了西北核技术研究所脉冲X射线能谱测量的进展，并对测量系统抗噪和散射控制技术进行了评述。结合现有条件和技术成熟度，对今后工作的发展方向进行了展望。

简介：目的：能量桩在工作状态下的热力学响应十分复杂，同时受到桩顶荷载、桩侧摩擦以及温度等多重因素的影响。当群桩中出现部分能量桩不工作时，将造成上部结构的额外应力与变形。因此，本文重点探讨摩擦型能量桩群桩中部分能量桩在加热制冷作用下的热力学响应，并与单桩的热力学效应进行对比分析。创新点：1．通过建立摩擦型能量桩群桩模型试验，探讨桩侧摩擦对能量桩群桩的影响规律：2．利用能量桩群桩与单桩对比，揭示能量桩群桩与单桩热力响应特性的区别；3．揭示部分能量桩加热制冷作用对能量桩群桩的影响机理。方法：1．建立摩擦型能量桩群桩及单桩的模型试验；2．将能量桩群桩与单桩进行对比，研究能量桩群桩与单桩热力响应特性的区别；3．进行能量桩群桩部分加热制冷试验。结论：1．对于长期工作的能量群桩，可以将其视为一个长宽高与整个群桩相同的热交换体，其表面温度与群桩的平均表面温度一致。2．能量桩单桩在加热过程中，由于桩底受到的限制较大，所以桩顶位移大于桩底位移。3．能量桩单桩在制冷过程中，由于土体及桩体收缩，会出现明显的下沉。4．能量桩群桩桩帽在加热过程中，桩帽的位移与群桩的上半部分长度相关：在本文的试验中，由于群桩上半部分受土的限制较小，因此其位移与桩自由膨胀的位移一样。5．能量桩群桩在制冷期间，群桩的下沉量级要比单桩的大。6．在制冷过程中，能量桩群桩在群桩效应作用下，内部桩的桩底热位移较大。7．能量桩群桩在部分加热的情况下，会出现不均匀沉降，且在加热期间，沉降主要受到不工作桩的牵制影响；而在制冷期间，沉降主要受工作桩的下沉影响。8．摩擦型能量桩的热引起的桩身轴力是与桩侧的土压力大小相关的；由于群桩在群

简介：对国产科学级4T-CMOS图像传感器进行电子辐照实验,考察了暗电流、饱和输出灰度值、暗信号非均匀性等参数,分析了器件的电子辐照效应损伤机理。实验结果显示,随着辐照总吸收剂量的增加,器件的饱和输出灰度值下降,并且暗电流显著增加。分析认为,器件的饱和输出灰度值退化机制与电离总剂量效应引起的退化物理机理一致,辐照使转移栅沟道电势势垒下降是饱和输出灰度值下降的主要原因,而暗电流的增长主要由浅槽隔离界面缺陷和体缺陷造成。10MeV电子辐照后暗电流退化表现出一定的偏置效应,这是由10MeV电子辐照引起的位移损伤所致。

简介：为深入研究系统电磁脉冲(SGEMP)特性,通过蒙特卡罗程序MCNP计算并总结了发射电子能谱、θ方向角分布以及光电产额等发射电子参数的变化规律,给出了不同X射线黑体温度下表征射线能量的能谱参数E1。利用3维全电磁PIC程序对SGEMP进行模拟,并将模拟结果与用X射线黑体温度T近似代替能谱参数E1取值方式下的模拟结果进行了对比。结果表明,低能射线的能谱参数与黑体温度近似相等;而高能射线的能谱参数与黑体温度存在偏差,会导致SGEMP模拟计算的电磁场峰值产生偏差。

简介：从新高考改革物理学科遇到的困境出发,分析当下电子游戏能成功的吸引学生的要素,从中提炼出物理学科可以借鉴的思路,用到新课程理念的教学模式中,寻求提高学生物理学科素养的突破口。

简介：电子元件有线性和非线性两种,它们在电路中起不同的作用。而非线性电子元件的功率问题是实际电路应用中必须考虑的问题。在中学物理教学中,该问题也是高考与竞赛的热点。具体电路中电子元件连接方式不同,解决方法有所不一样,这对学生能力的要求比较高,本文就如何快速识别并正确解题作些有益的探讨。

简介：针对O型高功率微波产生器件采用的无箔二极管结构,在引导磁场为0.6T的条件下,研究了二极管电压、电流、阴阳极间距、漂移管管头倾角和阳极半径等参数对电子束包络的影响。结果显示:阴极附近和漂移管内部的电子束包络随二极管参数的变化规律有明显差异,阴极附近电子束包络幅值较小并不能确保漂移管内部电子束包络幅值较小;适当增大二极管阻抗有助于减小漂移管内电子束包络幅值;受电子束径向运动的空间周期性影响,漂移管内部的电子束包络幅值随阴阳极间距增大会出现振荡变化;漂移管管头倾角超过90°后,管头倾角对电子束包络幅值影响很小;当阳极半径明显大于阴阳极间距时,阳极半径对漂移管内电子束包络幅值的影响也较小。通过合理优化二极管参数,可以有效减小电子束包络幅值,这是低磁场O型高功率微波器件稳定工作的重要基础。