简介：利用拉曼光谱研究了He^2＋注入六方SiC晶体样品时的损伤缺陷随注量的变化关系，并采用直接碰撞/缺陷模拟模型与多级损伤累积模型，模拟了室温及723，873，1023K下晶体样品的无序度随注量的变化关系。测试结果表明：随着注量的增加，晶体样品无序度增大，样品的拉曼特征峰强度减小。
He^2＋注入六方SiC晶体损伤效应的拉曼光谱研究
