简介：

简介：初中物理总复习与平常的课堂教学，在教学教法上的要领都是突出重点，突破难点，激发兴趣，启迪思维。但总复习课还须进行重点知识的辐射和相关知识^点的归纳，形成总复习课教学容量大、头绪多、课时紧的特点。对于教师来说，授课时特别重视条理清楚、

简介：初中物理总复习是物理教学的一个重要环节，通过总复习使学生对初中阶段所学知识形成一个有机整体，并能前后联系，融会贯通。在短时间内要取得好的效果，就必须把零散的、片断的知识条理化、系统化，提高学生运用所学知识解决实际问题的能力。通过几年的探索、总结，浅谈自己的一些策略及方法。

简介：课改实行多年，中考仍是检测教育教学质量重要手段之一，有效的复习备考，方能有效地提高学生的中考成绩，下面笔者就物理中考复习备考谈一些看法．

简介：初三化学总复习是使学生的化学学习产生质的飞跃的重要阶段。其主要任务是帮助学生梳理知识，使之条理化、系统化、结构化；巩固应用知识，学会分析问题，灵活调用自己贮存信息，解决化学问题；

简介：随着九年级新课教学的结束，学生进入了紧张中考前的总复习阶段。如何组织和安排不同类型的学生进行有效复习，使知识内容得以巩固加深，能力水平进一步提高，并在中考中取得理想成绩，是毕业班教师常感头疼的问题。下面就近年来对“中等生”初中物理总复习策略的一些探讨与同行交流。

简介：新课程新中考在六个文考等级科目中，生物、地理学生在八年级就过了关，政治、历史是开卷考，化学只有九年级一年的内容，权衡来权衡去，物理成了学生心目中最“小”的科目。进入九年级下学期总复习后，学生忙于复习语、数、英三“大”科目，要求学生用很多的课后时间来复习物理这个最“小”的科目，

简介：多光子成像技术是一种层析能力好、信噪比高的新型光学成像技术。在皮肤光学三维检测中,多光子技术已经应用于无创在体成像,且已得到产业化开发。本文将首先介绍多光子皮肤检测系统的若干核心技术,即双光子自发荧光技术、二次谐波成像技术、荧光寿命成像技术、相干反斯托克斯-拉曼成像技术等,然后简要介绍多光子成像系统在皮肤疾病成像检测上的应用,最后分析该系统的优势和未来可能的发展趋势。

简介：本项研究是针对球面沟槽的铣削加工进行研究。球面沟槽共有α，β，γ，θ四种构型，均为球面向心等深槽，呈网络分布。该项研究基于五轴联动加工中心进行了球面沟槽铣削加工的研究。通过仔细分析图纸，攻克了难点，根据空间几何关系进行计算，推导出了α槽、β槽以及γ槽等与向心角θ和水平角w之间的几何关系式，以及在加工运动过程中，随着θ角的变化，机床坐标轴y、z与θ角的几何关系式。

简介：介绍了一种新型总β测量闪烁探测器的原理与结构,对闪烁探测器输出回路脉冲计算公式及其极值进行了推导,利用MATLAB强大的数值计算功能讨论了闪烁探测器输出回路脉冲形状与回路RC时间常数的关系。并初步提出信号甄别的方法。

简介：对市售和加固CMOS电路在四川原子核应用技术研究所的5．92×10^15Bq^60Coγ源上作了总剂量辐射特性的对比试验，其中市售的样品包括了北京半导体器件三厂的硅栅和铝栅CMOS电路及美国RCA公司的CMOS产品硅栅CD74HC20E，加固CMOS电路为中科院北京半导体研究所的CMOS／SOS(以蓝宝石为衬底)硅栅CC4012和CMOS／体硅金属栅CC4012。实验的γ剂量率在0．02-0．80Gy(Si)／s之间，它符合国家军用标准GJB762．2《半导体器件辐射加固试验方法总γ剂量辐照试验》所规定的实验剂量率范围。当辐照到预定的总剂量时，电路所有表征参数在20min内测量结束。

简介：根据多光束干涉理论，推导出等倾干涉圆环直径的计算公式，进一步得出相邻两等倾干涉圆环的直径的平方差是常数，结果与实验相符合。用Ｆａｂｒｙ－Ｐｅｒｏｔ干涉仪观察钠双线的等倾干涉圆环，操作比较复杂，难度较大，本文提出一种简捷的调节方法，所测的钠双线波长差值与标准值的误差很小。

简介：为实现多光谱TDICCD的高速高信噪比成像，利用可空间应用的多光谱TDICCD传感器研制出了高性能成像电路系统。该系统以现场可编程门阵列（FPGA）为核心逻辑单元，带有RS422外围通信控制接口，并采用CAMERALINK接口输出图像数据。系统具有动态推扫成像的能力，可同时输出全色和彩色两种模式的图像数据。利用灰度条纹的靶标对传感器的3个多光谱（R、G、B）感光区标定白平衡，利用彩色条纹的靶标对系统进行成像测试，在驱动频率为15MHz的情况下，系统单片CCD输出的图像数据率达到1.2Gbps。试验结果表明，获取全色图像的信噪比达到了53.56dB，各多光谱图像的信噪比较高的也在40dB以上，满足空间对地高分辨多光谱遥感成像的技术指标要求，对高速空间多光谱遥感相机的研制具有借鉴意义。

简介：介绍了一种用于直线脉冲变压器的轨道式多间隙气体开关的设计方法.利用Meek击穿判据计算了单间隙自击穿电压,根据单间隙自击穿电压,利用概率分析方法预测了多间隙开关的自击穿电压.实验结果表明,自击穿电压值与计算值一致;开关自击穿电压的相对标准偏差约1.5％,在60kV触发电压和48％～74％欠压比下,开关抖动为0.9～2.6nS;由该开关组成的FLTD回路电感约290nH.

简介：扩展了麦克风语音采集电路和较大容量的存储器,基于凌阳16位单片机(SPCE061A)实现了多通道语音信号的实时同步采集。对采集的信号应用FastICA独立分量分析算法进行盲源分离,基于DTW算法对分离的语音进行识别,发现强噪声情况下识别结果良好,对语音识别与应用具有积极意义。

简介：对InPDHBT进行了钴源辐射试验,研究了InPDHBT在不同偏置条件下的电离总剂量效应.使用KeysightB1500半导体参数分析仪,测试了InPDHBT的Gummel和输出I-V参数,分析了辐射敏感参数在辐射过程中的变化规律,研究了器件功能失效和参数退化的原因.研究表明：将InPDHBT置于不同的偏置条件下,产生数量不同的氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷,导致器件的功能失效阈值也不同.

简介：在架空多导体传输线高空核爆电磁脉冲（HEMP）响应建模计算中,研究了不同参数的选取对响应计算结果的影响。首先利用链参数矩阵法对110kV线路进行建模,在模型中将线路端接设备等效为一系列互相连接的电容,计算了不同电磁波入射角Ψ、地面电导率σg和线长L下的线缆末端的响应电压和响应电流,分别归纳分析了3个参数与线缆响应幅值之间的关系。结果显示,随着入射角的增大,线缆末端的响应幅值均呈现出先变大后变小的趋势,当Ψ约为1°-5°时,达到极大值;线路长度较短时,线路末端的响应幅值随长度的增长而变大,当线长超过一定值后,线路响应则不再随线长的增长而变大。

简介：纳米尺寸电子系统的研究与单电子库仑阻挡（COULOMBBLOCKADE）结构，单电子三极管，分子开关的实现和应用有着十分密切的关系．近年来关于纳米系统电流传输性质的研究引起了越来越多的关注．曾经普遍应用的LANDAU-DFT方法计算出的电流与实验结果相差几个量级，

简介：研制了二维多介质流体程序，主要包括单介质内高精度流体力学计算，多介质混合网格内各种介质输运过程和压力驰豫平衡过程计算、实际状态方程的黎曼解计算。流体计算分别采用高分辨两步PPM（ParabolicPiecewiseMethod）算法、TVD（TotalVariationDiminishing）算法和FCT（FluxCorrected—Transport）算法，流体界面追踪采用VOF（Volume-of-Fluid）。数值求解可压缩多流体方程组和可压缩VOF方程。二维界面追踪分别采用一阶精度Youngs方法和二阶精度Elivira方法，三维界面追踪采用一阶精度Youngs方法，

简介：介绍了材料位移损伤效应研究中的多尺度数值模拟方法,包括第一性原理、分子动力学和动力学蒙特卡罗方法,举例说明了3种方法的作用和模拟结果,指出了半导体材料位移损伤多尺度模拟研究中待研究的问题,为半导体材料的辐射效应研究提供参考。