简介：以Xilinx公司的28nm系统级芯片（system-on-chip,SoC）Zynq-7000为研究对象,开展了α单粒子效应实验和低能质子单粒子效应实验,测得了系统级芯片的α单粒子效应敏感模块、单粒子效应截面及不同模块质子单粒子效应截面随能量变化的关系曲线。采用软件故障注入技术获得了系统级芯片多个功能单元的敏感单元以及故障表现类型,并且通过建立系统芯片软错误故障树,定量计算了系统芯片及其各功能单元的故障率和不可用度,确定了系统和子系统中的敏感模块。

简介：根据电荷转移效率的测试原理,基于宇宙射线高能粒子入射对CCD图像的影响,提出了一种基于高能粒子入射产生亮线的CCD电荷转移效率计算方法,对高能粒子入射产生的12条瞬时亮线进行了计算分析,获得了一致性较好的CCD电荷转移效率.该方法可实时评价电荷耦合器件的在轨性能,对预测CCD成像性能退化情况和使用寿命都具有重要意义.

简介：建立了单粒子多位翻转的测试方法和数据处理方法,在此基础上开展了体硅90nmSRAM重离子单粒子多位翻转的实验研究。通过分析单粒子多位翻转百分比、均值、尺寸等参数随线性能量转移（linearenergytransfer,LET）的变化关系,表明了纳米尺度下器件单粒子多位翻转的严重性,指出了单粒子多位翻转对现有重离子单粒子效应实验方法和预估方法带来的影响。构建了包含多个存储单元的全三维器件模型,数值模拟研究了不同阱接触布放位置对单粒子多位翻转电荷收集的影响机制,表明阱电势扰动触发多单元双极放大机制是导致单粒子多位翻转的主要因素,减小阱接触与存储单元之间的距离是降低单粒子多位翻转的有效方法。