简介:采用多陷阱的理论方法,模拟了不同剂量率辐照下MOS电容的总剂量效应,分析了氧化层空间电荷场效应与辐照剂量率的关系.研究了氧化层中浅能级陷阱、深能级陷阱对界面俘获电荷和半带电压的影响.研究结果表明,相对于高剂量率辐照,低剂量率在Si/SiO2界面附近俘获更多的空穴,导致产生更大的半带电压漂移;空间电荷场效应是由高、低剂量率辐射损伤差异造成的;浅能级陷阱俘获的空穴主要支配着氧化层电荷的传输特征,被深能级陷阱俘获的空穴是永久性的,是引起器件半带电压漂移的主要原因.
简介:近日,marketsandmarkets发布了一份新的市场报告,题为“2013-2018年光学成像技术市场报告一光学相干断层扫描、光声层析成像、超光谱图像和近红外光谱技术在临床诊断、临床研究和生命科学领域的技术发展趋势和市场前景分析”。该报告预测,光学成像技术的市场大约从2012年的9.16亿美元,到2018年预计可达到的19亿美元,并且从2013年到2018年期间的市场年均复合增长率可达11.38%。该报告还指出美国是主要的光学成像设备市场,其次是欧洲。未来,亚太和中东这些新兴经济体将是这个市场的驱动力。