简介:利用“神光”-Ⅲ原型装置所用氙灯(内径为Ф31mm,弧长为1430mm,壁厚为3.5mm,管材为掺铈石英玻璃)进行高负载(爆炸系数fx=0.6)实验。图1给出了氙灯放电时的电流电压波形。实验发现,氙灯运行不到10发时,氙灯灯管内壁出现白色花纹,而且白色花纹的出现是随机的,并且不是一直都会存在。随着运行发次的增加,氙灯内壁出现乳状积淀物,发白区域从两端向氙灯中间延伸,但并不是均匀分布,而是成块状遍及整支灯管。运行到约20发时,在灯管内壁会出现短的亮线(即极限负载条纹),随着运行发次的增加,亮线的长度会沿圆周发展成弧形或圆环形,亮线的数量也会由两端离电极30mm处向氙灯中间增加,呈一系列的圆环分布,但圆环的间距并不相同,而且当氙灯冷却到室温时,可以观察到灯管内壁和氙灯下端(竖直)附有白色颗粒物。
简介:基于4阶Runge-Kutta法,介绍了“强光一号”加速器长脉冲状态的电路模型。该模型不仅考虑了电爆炸丝导体断路开关(electronexplosiveopeningswitch,EEOS)金属丝的电阻率随比作用量变化的特性,而且考虑了油间隙和真空二极管间隙击穿过程中等效阻抗的变化特性。仿真结果表明,该模型能够更好地反映EEOS的初始参数对放电回路电流和电压的影响规律,能够为加速器的运行和性能提升提供有力的技术参考。通过仿真计算和理论分析,认为“强光一号”加速器的初级储能系统——直线型变压器(lineartransformerdriver,LTD)经过升级改造后,EEOS的工作电压能够提升大约20%,且获得了EEOS最佳工作状态的参数。
简介:基于Thevenin原理,建立了一种多级串联磁绝缘感应电压叠加器(magnetically—insulatedinductionvoltageadder,MIVA)等效电路模型。依据磁绝缘限定条件,给出了MI—VA次级磁绝缘传输线(magnetically—insulatedtransmissionline,MITL)最小磁绝缘电流估计方法。仿真分析了12级串联MIVA电压和电流输出特性,结合X射线剂量率计算式,给出了X射线剂量率随次级MITL运行阻抗变化的分布规律。结果表明,多级串联MIVA输出X射线剂量率随次级运行阻抗的增大呈先增大后减小的趋势,MITL存在一个最佳运行阻抗,可使输出的X射线剂量率最大。基于Mendel和Creedon磁绝缘模型,对比给出了次级MITL几何阻抗的两种估计模型,结果表明,除第1级外,其余各级用两种模型估计的几何阻抗偏差系数均小于2%。
简介:对一款国产CMOS图像传感器进行了不同射线粒子的辐照试验,研究了质子、中子和γ射线等粒子辐照对器件饱和输出电压的影响.试验结果表明,在γ射线和质子辐照下,器件的饱和输出电压显著退化,而在中子辐照下,饱和输出电压基本保持不变,表现出较好的抗中子能力.对γ射线和质子辐照下器件饱和输出电压的退化机理进行了分析,饱和输出电压的退化主要受电离总剂量效应影响:随着辐照累积剂量的增加,饱和输出电压逐渐减小且在退火中的变化趋势与CMOS图像传感器像素单元的饱和输出信号变化趋势一致.辐照导致饱和输出电压退化的主要原因是光敏二极管周围的LOCOS隔离氧化层内产生了大量的辐照感生电荷.