简介:ZEMAX和CODEV等光学设计软件,虽然有很强的优化功能,但如果想得到好的设计结果,初始解的选择至关重要。求初始解的普遍做法是,将已有的光学系统或其中某一个组元拿来进行缩放。这种办法带有盲目性。另一种方法就是利用高斯光学和三级像差理论求变焦距物镜的初始解。这一方法有助于创新设计,但却很少被应用。本文介绍了作者在运用这一方法过程中产生的观点、理念、经验和成果。本文通过一个十倍变焦距物镜设计实例,详细介绍了求初始解的过程,为了验证该初始解的效果,还用ZEMAX进行了像差优化。为了增加说服力,设计过程的每一步,都给出了具体的数据,包括经ZEMAX优化得到的最后结果。
简介:制备了金属-铁电层-绝缘层-半导体(Pt/Bi3.15Nd0.85Ti3O12/YSZ/Si,MFIS)二极管,研究了该二极管的存储窗口电压、疲劳特性和高温保持特性。结果表明:该二极管的存储窗口电压随扫描电压的增大呈先增大后减小的趋势,其中最大存储窗口电压约为0.88V且存储窗口电压的变化几乎不受扫描电压的扫描速度与频率的影响;该二极管在109次翻转循环后,其积累电容和耗尽电容基本没有变化,且存储窗口电压仅下降了5%。另外,该二极管在80℃下加速测量8h(相当于常温下测量60d)后,加速后器件的电容差比加速前降低了13%,说明该二极管抗疲劳特性和高温特性良好。
简介:综合论述了基于碳化硅(SiC)材料制备的四层器件在脉冲功率领域的应用现状或前景。调研了SC超级门极可关断晶闸管(supergateturn-offthyristor,SGTO)的研究进展,总结了近年来获得的实验结果。实验研究了SiC发射极可关断晶闸管(emitterturn-offthyristor,ETO)的开通过程。结果表明,开通dl/R可以在一定条件下受控,以适应脉冲功率或电力电子变换的不同需求,实验获得最大功率密度为329kW*cm_2。建立了SiC反向开关晶体管(reverselyswitcTeddynistor,RSD)二维数值模型,论证了开通原理的可行性,热电耦合模型以SiC本征温度为依据据,SiCRSD的功率密度达MWvm^量级。