简介:摘要随着通信、电子技术的快速发展,越来越多的电器及电子产品被广泛运用,导致了空间的电磁能量急剧增长,电磁环境也日趋复杂,因此,要保证电子电气设备在各种平台的复杂电磁环境中正常运行,减少相互间的干扰,是一个迫切需要解决的问题。电磁兼容性作为电子设备或系统的主要性能之一,是实现设备或系统功能、发挥产品或系统效能的重要保证,正受到越来越多的重视。对于产品定型前的电磁兼容测试不合格的问题,我们可以遵循正常的电磁兼容设计思路,按照电磁兼容设计的规范和方法,对产品存在的问题重新进行设计,从源头解决电磁兼容隐患,但是目前国内电子、电器产品普遍存在的情况是产品已经定型,已经生产出来等着出货,对于这种问题,我们只能采取“出现什么问题,解决什么问题”的方法解决,以对产品最小的改动使其达到电磁兼容标准的要求。本文就电磁兼容测试中传导发射,辐射发射超标问题系统的分析和总结,可以很好的解决电磁兼容超标问题。
简介:摘要在混成式InSb焦平面器件制造过程中,热冲击引起的芯片碎裂是造成器件失效的主要原因,其较高的碎裂概率严重制约InSb焦平面器件成品率。针对InSb焦平面器件温度循环下碎裂的现象,设计出热冲击试验装置,采用该装置,对InSb焦平面器件进行热冲击试验,获得InSb焦平面器件碎裂位置、分布等丰富的试验数据;通过对碎裂机理进行分析,梳理并识别生产过程中引起碎裂的工艺因素,确定了热失配应力和工艺损伤是造成InSb焦平面器件碎裂的两个主要原因。通过对底部填充材料的择优选择、固化过程的优化,控制芯片切割中的进刀速度,选择适合InSb材料的磨料,减少热失配应力,避免生产过程中引入的工艺损伤,降低了InSb焦平面器件碎裂的概率,显著提高InSb焦平面器件的成品率。该研究工作分析了混成式InSb焦平面器件碎裂机理,找到了引起InSb焦平面器件碎裂的主要原因,并采取有效措施,降低了碎裂概率,使成品率提高50%,提升InSb焦平面器件的制造水平,将InSb焦平面器件应力分析结果应用于制造过程,指导探测器结构设计和工艺优化,对320*256、640*512中规模InSb焦平面器件研制具有重要意义。