简介：本文提出了一种在感应电机直接转矩控制（DTC）中使用的占空比控制方法。和传统的直接转矩控制方法相比，使用占空比控制的直接转矩控制系统稳态转矩响应得到改善，转矩脉动也减少。在每一个开关周期，用转矩和磁通偏差作为模糊逻辑的输入，通过模糊逻辑算法来实现占空经的控制。SIMULIK的实验结果证实了该方法所宣称的改进效果。

简介：VishayIntertechnology。Inc．推出新型20Vp通道TrenchFET功率MOS—FET—VishaySiliconixSi8445DB．该器件采用MICROFOOT芯片级封装，具有业界最小占位面积以及1．2V时业界最低的导通电阻。

简介：据悉，日前全球领先的单片机和模拟半导体供应商MicrocmpTechnologyInc．（美国微芯科技公司）的全球最小PIC10F单片机系列日前又有两款新产品面市。

简介：本文提出了一种新的控制方案,最大限度地减少风力发电系统输出功率产生的电网电压波动。这种控制方案可以使风力发电系统抑制不同的电网条件下电压波动。使用这种控制策略的风力发电系统通过计算其输出功率的波动和电网电压波动之间的相关性来在线估计阻抗比R/X。通过输出最佳的无功功率,其值等于阻抗比与发电功率相乘,可有效地抑制电压波动。通过抑制电压波动,使其低于电网规范中所规定的可接受水平,可以提高接入给定电网的风力发电系统容量。仿真及与电网模拟器相连的小功率实验结果验证了所提出的控制方案。

简介：以沈阳市自来水总公司五水厂和尹家2,3井群为试点，通过对取水井工艺及其设备运行情况的调查和出水量，出口压力及导水管线流量的测试，提出取水井的最佳配置方案，使水泵合理提升扬程，机泵高效运行，从而达到井群取水系统节能降耗的目的。

简介：介绍了SMT回流焊接技术的发展过程、工艺特点及操作方法，针对研发过程中小批量生产的实际情况，给出了SMT生产线的设备配置及工艺流程。

简介：本文分三个专题，介绍了IEEE第15届国际功率半导体器件和集成电路研讨会(SPSD’03)上有关IGBT的第二部分文章，供专业人士参考。

简介：由于导通及开关损耗小以及易于使用等优点，IGBT在电力电子系统中得到越来越广泛的应用。在设计电路之前，需要精确的器件模型及模型参数对电路进行仿真。本文提出一种基于实验测量、仿真及优化算法的IGBT模型参数辨识方法。以BUP302为例，给出了静态参数及动态参数的结果。在参数辨识的基础上，文中还提出了模型参数有效性验证的方法，最后给出了有效性验证结果。

简介：半导体仿真软件已成为功率器件设计的主流工具,用来预测器件的特性。击穿电压是器件的重要指标之一,仿真计算只有选取合理的碰撞电离模型、设置恰当的参数才能使仿真预测更接近实际情况。本文主要从ISE碰撞电离模型的选取及碰撞电离驱动场的设置出发,计算多级场板、场环场板结构的击穿电压,最后给出多级场板、场环场板与实际情况相符的碰撞电离模型及驱动场。

简介：基于FPGA的可重配置特点，介绍了基于PCI总线的硬件模块的可重配置设计方法，提出了一种通过PC主机对硬件功能模块的快速重配置方案，并对配置数据处理、重配置控制流程、仪器驱动等进行了详细阐述。实验表明，该方案能够处理不同的配置数据容量，可适应多片链接的配置芯片，而且重配置效率高，并可应用于远程配置。

简介：本文根据2030脱脂机组中张力辊控制的实例，介绍了变频器的控制原理，T100与CUVC之间的通讯过程，以及如何配置变频器的控制板的参数，实现与PROFIBUS-DP网络的通讯，并根据实际说明如何实现速度控制方式和张力控制方式的切换。

简介：在现代文明中，二次电池已走入千家万户，是我们生活中不可缺少的物品。在现在市场上，主要的二次电池是铅酸电池、镉镍电池、氢镍电池和锂离子电池，本文就这些电池的发生、发展、性能、生产和应用作一简要的综述。

简介：改革开放之初，两位友人分赴日本和英国进修GTO晶闸管在传动中的应用。大约一年后，他们先后给留守国内的笔者来信，言及回国后想大干一场的志向。其中，他们不约而同地希望我帮助在国内寻找GTO应用所需要的配套元器件。在其中，又不约而同地列有“快导通二极管”一项，问我什么是“快导通二极管”?请我向他们解释一下。

简介：介绍肖特基二极管的结构特点和最新发展动向及应用。

简介：本文介绍了国内外专家学者为提高快恢复二极管（FRD）的反向恢复速度及软度所做的种种不懈努力，介绍了与IGBT、功率MOSFET等现代电力电子器件相配套的FRD的国内外现状及采用的技术方案，以及晶闸管企业研制FRD需要配置的硬件条件等。

简介：介绍了纳米硅开关二极管的电特性及其应用。

简介：4.4宽带隙半导体微波器件近年来,以SiC、GaN和半导体金刚石为代表的宽带隙半导体微波器件的研究开发引人注目。这类器件适宜在高频、高温(>500℃)、强辐射环境下工作,具有优异的微波功率性能。其中SiC器件技术最

简介：城镇二次加压泵站在同样的水泵设备配置情况下，采用不同种的工艺运行方式其能耗有着很大的差别。文中通过对泵站4种常用运行方式的电耗分析，探讨了城镇二次加压泵最佳的工艺运行方式及电耗的计算方法。

简介：文中针对当前通过在A1GaN层进行F－离子注入这种实现EAlGaN／GaN增强型HEMT器件的重要方法，建立其数值模型。对该方法F－起到对导电沟道的调制机理进行了分析解释，对该方法的实现过程中的关键F－离子注入量、注入深度分布的对宏观器件特性的影响进行数值分析，得到了具有指导意义的结果。为今后该方面的器件特性进一步研究提供了理论指导。

简介：在所有的电力电子设备中获得最高的转换效率永远是人们追求的头等目标。在一些新标准的规定下目前很多功率转换设备都必须具备有效功率因素校正功能。对电子元件而言额外的功率损耗会增加散热器和整个设备的体积。本文研究的目的就是在不断增加设备成本的情况下将损耗降到最低。