简介：VishayIntertechnology，Inc．日前发布新款采用热增强型PowerPAK@SO-8封装的新款N沟道TrenchFET功率MOSFET---SiR872ADP，将该公司的ThunderFET@技术的电压扩展至150V。VishaySiliconixSiR872ADP在IOV和7．5v下的导通电阻低至18m12和23mΩ，同时保持低栅极电荷，在10V和7．5V下的典型电荷为31nC和22．8nC。
简介：如果您的下一个设计的电路板功耗可以降低25％N30％，甚至更多，是不是很理想？对一些设计而言，这一改善是不错的，但对其他的设计而言，如要使用最新的高性能集成电路而使设计具有竞争力，这就是必需的。为什么呢？因为新的ASIC、SoC和处理器技术都可以用一句话来概括——它们需要散热!
简介：近日，飞思卡尔宣布将携手E—Ink共同开发高度集成的嵌入式解决方案，这种解决方案能为电子书制造商及其客户降低成本并促进创新。
简介：世界领先的气体和工程公司林德集团宣布已联合香港理工大学一起开发全新环保的电子封装解决方案，以实现质量、产能提高和成本降低的目的。
Vishay SiliconiX扩展ThunderFET的电压范围
使用闭环电压调节控制降低功耗
E—Ink与飞思卡尔携手开发电子书处理器
林德携手香港理工大学开发电子封装环保技术方案
