简介:VishayIntertechnology,Inc.日前发布新款采用热增强型PowerPAK@SO-8封装的新款N沟道TrenchFET功率MOSFET---SiR872ADP,将该公司的ThunderFET@技术的电压扩展至150V。VishaySiliconixSiR872ADP在IOV和7.5v下的导通电阻低至18m12和23mΩ,同时保持低栅极电荷,在10V和7.5V下的典型电荷为31nC和22.8nC。
简介:如果您的下一个设计的电路板功耗可以降低25%N30%,甚至更多,是不是很理想?对一些设计而言,这一改善是不错的,但对其他的设计而言,如要使用最新的高性能集成电路而使设计具有竞争力,这就是必需的。为什么呢?因为新的ASIC、SoC和处理器技术都可以用一句话来概括——它们需要散热!
简介:充电泵(或称开关电容器电压转换器)填补了线性稳压器和基于电感器的开关稳压器之间的性能空白,为不喜欢电感器的工程师提供了另一种设计选择。与LDO相比,充电泵需要一个额外的电容器(“浮动”电容器)才能工作,但一般来说成本仅略有增加,同时充电泵具有更高的输出噪声电平,
Vishay SiliconiX扩展ThunderFET的电压范围
使用闭环电压调节控制降低功耗
与基于电感器的开关稳压器相比,高压充电泵可简化电源转换