简介：在ZnO的性质上评估ZnO缓冲区层和艾尔比例的影响：艾尔(偶氮)/ZnO双性人层电影，一系列AZO/ZnO电影被电子横梁蒸发在石英底层上扔。X光检查衍射测量证明这些电影的水晶质量随电影厚度的增加被改进。这些电影的电的性质被调查。搬运人集中和霍尔活动性两个都随缓冲区层厚度的增加增加。然而，抵抗力到达在大约50nm厚的缓冲区层最低。最低抵抗力和最大的霍尔活动性两个都在1wt%艾尔集中被获得。但是所有这些电影的光发射度不管有比在可见区域的5wt%低的艾尔集中的缓冲区层厚度比80%大。
Effects of the ZnO buffer layer and Al proportion on AZO film properties
