简介：随着现代高新技术的进步和发展,新材料技术越来越受到人们的关注。新型磁性材料是新材料家族中的生力军,近年来受到了广泛的应用;同时涌现出一些新型的合成磁性材料,这些新型磁性材料在医学、电子、通信、仪表等领域有着广泛的用途。专家预言,随着新型磁性材料的不断开发和新产品的不断涌现,新型磁性材料将会更好地服务社会,造福人类。以下介绍一些国外最新研制和开发出的一些新型磁性材料。

简介：

简介：想必您在看我们10月刊的时候会发现这样一个很明显的问题，杂志的小版有一部分文字被遮住了！给您阅读所造成的不便，我们深感抱歉。同时，这也引起了我们的深深思考，所以我们做出了这一期的调查档案，对这一问题进行详细的分析。

简介：本文论述了钕-铁-硼磁性材料电镀前清洗工艺的一些技术问题,特别是对超声波清洗机的配置与特性要求.以期对磁性材料制造行业在电镀前处理工艺的选择和设备的选择方面起到指导和借鉴作用.

简介：针对法布里—珀罗干涉型压力传感器进行光学解调技术研究,采用以双折射光楔为核心的白光偏振干涉系统对传感干涉系统进行解调,利用不同尺寸光楔设计对比实验并进行加压检测,确定传感系统与解调系统匹配的具体设计方法.

简介：V型槽侧面耦合是目前双包层光纤抽运光耦合的方法之一。本文提出了一种二透镜光学系统的耦合模型，并利用几何光学的ABCD矩阵分析和计算了透镜焦距与激光二极管阵列（LD—Arrays），透镜，双包层光纤（DCF）三者之间间距的关系，同时通过计算确定了V型槽所开的最佳角度。通过数值模拟计算发现透镜焦距的选取在很小范围内会引起两透镜间距的剧烈变化而且激光二极管与透镜的间距以及两透镜间的间距主要取决于靠近激光二极管那个透镜的焦距大小。本文的分析和计算对V型槽侧面抽运的光学耦合系统中透镜焦距的选取以及LD，透镜，DCF三者之间间距的设置的最优化提供了理论指导。

简介：提出了一种积累型槽栅超势垒二极管，该二极管采用N型积累型MOSFET，通过MOSFET的体效应作用降低二极管势垒。当外加很小的正向电压时，在N＋区下方以及栅氧化层和N-区界面处形成电子积累的薄层，形成电子电流，进一步降低二极管正向压降；随着外加电压增大，P＋区、N-外延区和N＋衬底构成的PIN二极管开启，提供大电流。反向阻断时，MOSFET截止，PN结快速耗尽，利用反偏PN结来承担反向耐压。N型积累型MOSFET沟道长度由N＋区和N外延区间的N-区长度决定。仿真结果表明，在相同外延层厚度和浓度下，该结构器件的开启电压约为0.23V，远低于普通PIN二极管的开启电压，较肖特基二极管的开启电压降低约30%，泄漏电流比肖特基二极管小近50倍。