简介:文章以LTCC基P波段90°功分器的设计和制作为例,从无源设计仿真和LTCC工艺阐述了P波段功分器的研制过程。选用了承受功率大、尺寸相对较小的宽边耦合器结构。设计的宽边耦合器采用多层结构,有利于发挥LTCC基板多层、高集成度等优点。其电路物理模型为Broadside-coupledsymmetricstripline(BCL),采用的介质为LTCC,介电常数为5.9,每层介质厚度为0.1mm,导体采用Ag浆。在实物制作过程中,TOP层和Bottom层是采用灌银通孔实现的。最终测试结果与仿真结果吻合较好,在225MHz~400MHz频段内隔离23dB,插损0.5dB,驻波1.1,相平衡度±2.5,功率250W.
简介:基于AlGaN/GaNHEMT工艺制作了大栅宽GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)管芯,通过负载牵引及建模技术提取了管芯的输入阻抗、输出阻抗。设计中首先通过L-C网络提升了管芯的输入阻抗、输出阻抗,并通过微带多节阻抗变换器实现了宽带功率分配器及合成器电路的制作,同时还加入了稳定网络,最终实现了50Ω输入输出阻抗匹配。该大功率GaNHEMT内匹配器件采用四胞管芯功率合成技术,总栅宽为4×16mm。在50V漏电压、1ms周期、10%占空比的测试条件下及5.3~5.9GHz频率范围内,输出功率均高于56dBm,最高达到56.5dBm,功率增益均大于12dB,带内功率附加效率超过48.2%。
简介:RFLDMOSs}/率管具有高输出功率、高增益、高线性、良好的热稳定性等优点,广泛应用于移动通信基站、数字广播电视发射以及射频通信领域、微波雷达系统。阻抗匹配是LDMOS~率管应用电路设计的关键任务,LDMOS功率管匹配电路的主要任务是实现功率管的最大功率传输。文中选择中国电子科技集团公司第58研究所研制的S波段10wLDMOS功率管,利用微波仿真工具ADS设计外匹配电路。经过精心调试后,s波段LDMOSs}/率管输入回波损耗、增益、输出功率、效率、谐波等技术指标达到设计要求。完成匹配电路设计的S波段LDMOS功率管在3.1~3.4GHz频率范围内,输出功率大于13.8W,功率增益大于12.4dB,效率大于37.9%。
简介:本文简要介绍了红外波段单光子探测器的种类,分析了InGaAs/InP雪崩光电二极管(InGaAs/InPAPD)与超快超导单光子探测器(SSPD)的相关性能,并概述了二者在量子通信中的应用。