简介：随着射频技术的广泛应用和发展,射频封装已经呈现出更高密度功能集成、更高功率、更高频率和更低成本的发展要求。在这些要求下,3D封装、大功率射频器件集成、多种信号混合集成、硅中道工艺顺应而出。相对于传统射频封装,基于硅中道工艺的先进射频封装面临结构、热管理、信号完整性和工艺等多方面的挑战。
先进射频封装技术发展面临的挑战
