简介：稀磁半导体（DMS）材料日益受到科技界和工业界的关注。本文根据ZENER模型研究稀磁半导体材料的居里温度。计算结果证明：同种基质材料掺杂不同的金属元素,低价元素掺杂形成的DMS材料居里温度较高。在考虑反铁磁性交换作用时,低价元素掺杂形成的DMS材料的居里温度与高价元素掺杂形成的DMS材料的居里温度的差别,比不考虑反铁磁性交换作用时居里温度的差别更为明显,且差别随反铁磁性交换作用相对强度的增加而增加。该研究结果可为获得具有高居里温度的DMS材料提供参考。

简介：研制了一种以玻璃粉作为粘结相的低温烧结型银基浆料，并应用于集成电路半导体芯片贴装工艺。重点考察了半导体芯片与氧化铝陶瓷基座组装后的附着力，以研究浆料中银粉、玻璃粉和有机载体的含量以及芯片的净化处理工艺、烧结工艺对组装件剪切力和温度循环后剪切力的影响。结果表明：采用有机溶剂和皂化除油，银粉和玻璃粉质量比为7：3，有机载体和固体相质量比为1：9，在430℃烧结，保温时间在20～25min时，能获得最大剪切力。

简介：微波合成因合成速度快、清洁和能效高而成为一种非常有前途的材料制备方法。与常规方法相比，很多材料可以在相对较低的温度和较短的时间内用微波加热合成。该文作者利用混合微波加热技术，在短时间内由镁粉、镍粉和石墨粉合成了具有立方钙钛矿结构的金属间化合物超导材料MgCNi3。利用微波加热合成的MgCNi3，镁的挥发和氧化程度明显减少。粉末X射线衍射显示合成的样品主相为MgCNi3，还含有少量未反应的石墨粉和微量的MgO杂相。金相显微镜和扫描电镜观察表明超导样品的晶粒大小一般为2～6μm。由标准的四探针电阻方法和磁测量技术测得样品的超导起始转变温度为6．9K，转变宽度约为0．8K。

简介：介绍了新型超导体MgB2的基本超导电性,综述了MgB2材(多晶)、线材和带材的主要制备技术,并对MgB2超导材料的应用前景进行了展望.

简介：采用电化学方法回收废旧电路板中的铜，以十二烷基硫酸钠（SDS）和吐温？80（Tween-80）为添加剂，制备高纯超细铜粉，通过四因素（电流密度、温度、SDS质量浓度和Tw-80浓度）三水平的正交实验优化工艺条件。采用等离子发射光谱分析仪、扫描电镜、X射线衍射和傅立叶红外光谱分析等对铜粉的形貌与结构进行观察与分析，并对铜粉的抗氧化性能进行测试。结果表明，最优工艺条件为：在pH值为0.5，温度为20℃的点解液中，脉冲占空比0.8、周期10ms，电流密度100mA/cm2，电解液中SDS的质量浓度为2g/L，Tween-80的体积分数为2%。制备的铜粉纯度为99.92%、平均粒度为4.9μm，其微观形貌为紧密堆积的圆形颗粒，平均晶粒尺寸为33nm，抗氧化性能良好，接近400℃温度下才开始氧化。