简介：

简介：工业三氯乙烯的气相色谱分析法，影响三氯化氮分析结果的因素及预防，对循环冷却水质量指标的分析及控制，级联人工神经网络结合单扫描示波极谱法同时测定对硝基氯苯和邻硝基苯酚，流动注射抑制化学发光法测定盐酸环丙沙星

简介：塑料制品型式检验抽样方案的选择;利用氙弧灯和QUV对PVC—U异型材进行老化变色分析;采用凝胶渗透色谱法确定PVC中增塑剂的种类及含量;一次进样快速测定干燥后氯乙烯纯度;PVC制品中增塑剂DEHP含量的测定

简介：气相色谱法测定副产盐酸中苯和氯苯的含量,多氯乙酰氯的气相色谱分析,Profile—Icp法测定精盐水中的微量元素

简介：氯苯副产盐酸中微量苯和氯苯含量的测定;二次盐水中碘的测定;燃烧法测定氢气纯度的注意事项及改进;用氯含氨分析仪在线监测氯气总管中的氢含量;加热灼烧法分析消石灰中Ca（OH）2和CaO的含量

简介：图像分析技术在PVC颗粒粒径大小及分布测定中的应用；PVC-U压力管静液压强度预控新方法；Severs流变仪测定聚氯乙烯糊的流变性；氯乙烯单体中水分测定方法探讨;影响PVC树脂挥发物含量及杂质粒子数测定的因素分析

简介：氯乙烯单体加料流量计的选型及应用,食品容器、包装材料用聚氯乙烯树脂及成型品中残留1，1-二氯乙烷的测定方法研究,广东省常见给水管材15种金属溶出含量的测定与分析,PVC电缆线发黑原因测试分析

简介：LJ20081312PVC玩具和儿童用品中6种限用邻苯二甲酸酯类增塑剂的同时测定；LJ20081313Py-GC／MS技术快速鉴别和测定食品保鲜膜；LJ20081314傅立叶变换红外光谱法对聚氯乙烯及邻苯二甲酸酯类增塑剂的快速鉴定。

简介：食品添加剂氢氧化钠中汞含量的测定;工业分析中分光光度计的应用技巧;氯化钾盐水中铁含量的分析;三氯异氰尿酸生产中氰尿酸三钠盐的测定;盐水中亚硫酸钠含量的分析方法和影响因素.

简介：2-羟基-6-氯喹喔啉含量的测定;二（三氯甲基）碳酸酯的分析与检测;ICP—AES同时测定二次盐水中的微量元素;热解吸一气相色谱法检测空气中邻氯化苯亚甲基丙二腈;75％二氯吡啶酸可溶粒剂的反相高效液相色谱测定

简介：PVC—U异型材耐候性评价方法;温度和浸渍时间对PVC—U管材二氯甲烷浸渍实验的影响;乙炔和氯化氢混合气水分测定方法探讨;PVC树脂中残留氯乙烯及1,1-二氯乙烷检测方法改进;低压微波消解——ICP—AES法测定聚氯乙烯塑料及其制品中的Pb、Cd、Cr和Hg.

简介：应用色-质联用技术分析1，2-二氯乙烷中的微量杂质，凝胶色谱法测试PVC树脂平均分子质量及分子质量分布，红外光谱仪在PVC异型材生产中的应用，反气相色谱法研究共聚酯的表面性质及共混体系的相容性，PVC树脂热稳定性评价方法——刚果红法和白度法……

简介：熔融结晶法回收硝基氯苯精馏废液的研究;石油法环氧氯丙烷生产污水处理技术;超高交联吸附树脂对氯苯酚生产废水的吸附去除研究;有机硅酯生产排放尾气中氯化氨的净化工艺及其应用：DE;工业碳酸钠中无机铵含量的测定;

简介：氯乙烯单体中水分的测定；EPVC尾气回收在线氧分析仪的选用；气相色谱法分析氯乙烯中杂质的含量;广东省常见PVC-U给水管材15种金属溶出含量的测定与分析;气相色谱-质谱法分析聚氯乙烯加热分解产物;食品容器、包装材料用聚氯乙烯树脂及成型品中残留1，1-二氯乙烷的测定方法研究.

简介：LJ20081036酯化气相色谱法与化学分析法测定氯乙酸含量的比较；LJ20081037吡唑啉酮分光光度法测定废硫酸中的微量三氯乙醛；LJ20081038电感耦合等离子光谱法测定氢氧化钠中金属离子；LJ20081039气相色谱法测定敌敌畏·氯氰菊酯复配乳油；LJ20081040Tenax富集-毛细管气相色谱法同时测定环境空气中12种氯苯类化合物；

简介：电石法生产的PVC树脂中汞含量的测定;段转化器出口氯化氢气体两种分析方法的探讨;美式落锤冲击试验在PVC—U异型材冲击性能评价中的应用;PVC异型材原料粒径分布测试方法的评价;

简介：制备分析样品的方法：将欲被分析的杂质从磷酸中单独沉积下来并与磷酸分离；分析杂质的方法：将杂质从磷酸中单独沉积下来并与磷酸分离；再对分离的物质进行分析；制备高纯磷酸的方法：从待净化的磷酸中单独沉积出杂质并进行分离；制备半导体元件的方法：用磷酸作处理液，该磷酸的杂质含量(由所含的放射性元素Pb，Bi和Po的浓度确定)，不大于10^-3Bq/ml(Bq，贝克勒尔，放射性单位)。

简介：SPECTROCIROSVISIONICP—OES在氯碱工业中的应用;减少水合肼分析误差的方法;碘量法测定二氧化氯要点分析;HPLC法测定东山感冒片中马来酸氯苯那敏的含量;N-甲基-2-氯-5-吡啶甲基胺的高效液相色谱分析;氯化石蜡中氯含量的测定方法述评;

简介：本专利所述的CaP型半导体基板用于红光发射的元器件，其制造方法是先生长n型单晶，此单晶含有1．0×10^16个原子／c．c，用B203并含有≥200ppm的H20作为封装液体来用查理斯基封装法(Czochraskimethod)封装，生成一种CaP和P型CaP层在半导体的表面上。N型CaPn型层可掺杂入S，P型CaP可掺杂O或Zn。

简介：