简介：

简介：本专利所述的CaP型半导体基板用于红光发射的元器件，其制造方法是先生长n型单晶，此单晶含有1．0×10^16个原子／c．c，用B203并含有≥200ppm的H20作为封装液体来用查理斯基封装法(Czochraskimethod)封装，生成一种CaP和P型CaP层在半导体的表面上。N型CaPn型层可掺杂入S，P型CaP可掺杂O或Zn。

简介：制备分析样品的方法：将欲被分析的杂质从磷酸中单独沉积下来并与磷酸分离；分析杂质的方法：将杂质从磷酸中单独沉积下来并与磷酸分离；再对分离的物质进行分析；制备高纯磷酸的方法：从待净化的磷酸中单独沉积出杂质并进行分离；制备半导体元件的方法：用磷酸作处理液，该磷酸的杂质含量(由所含的放射性元素Pb，Bi和Po的浓度确定)，不大于10^-3Bq/ml(Bq，贝克勒尔，放射性单位)。

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简介：本文应用相关技术原理,提出一种圆度测量中偏心误差的分离与修正方法.使用该方法可由一次测得的一组原始误差数据中分离出工件的安装偏心,径向跳动误差和圆度误差,而且避免了常规圆度测量中反复精密的调心.

简介：一项可提高盐化工产品附加值且工艺简单、成本低的新技术——用制溴废液制取新一代氯化镁产品晶镁研究项目，在国内首创成功。从天津科技大学海卤水资源研发中心获悉，该中心袁建军教授主持研发的晶镁产品质量可与进口的以色列产品相媲美，该技术不仅有效地解决了制溴废液的污染问题，而且打破了我国高品位氯化镁产品依赖进口的格局。

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简介：本发明涉及一种工业制备碳化硅晶须和微粉的方法，它是将石墨与共其他工业用碳质和硅质原料混合后，将入工业SiC冶炼内进行合成反应，用石墨作导电发热体制备碳化硅晶须和微粉。该方法原料来源丰富廉价，生产工艺简单，可大批量工业化生产，其生产出来的晶须直径均匀，长径比大，异形晶少。因此，本发明具有制备工艺简单、制备投资小、生产成本低、产品质量好的特点。

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简介：目前,临安制造基地已建立起了以关键核心技术和配套部机产品开发为主的试验平台,实现:更好地分析空分设备研制过程中遇到的技术难点,验证关键部机、单元设备的性能,为成套空分设备的研制提供了有效的理论数据和理论支撑。

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简介：针对新开发的高螺纹管换热器的结构特点,介绍了该类产品在制造工艺上的特殊性,在产品的装配、穿管、试压和查漏等一系列工艺难题上进行了探索,并提出了解决方法。

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简介：制备了低熔融点、耐水性、玻璃化温度≈338℃的40P2O5—50PbO-10ZnO玻璃。用差热分析(DTA)，X-射线衍射，付里叶交换红外线吸收光谱技术进行了定性和定量分析，并对玻璃体中的(Pb5/6Zn1/6)3P4O13的结晶过程进行了测试。在Johnson-Mehl--Avrami模型的基础上，研究了结晶动力学。结果发现，表面晶核形成(其形态指数≌1)是主要的模式。

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简介：使用焦磷酸四钠制造含焦磷酸牙石防治的小苏打牙膏，组合物中溶解的焦磷酸四钠盐少于总量的约20％。

简介：工作室领衔人:方忠平(高级技师)工作室成员:方忠平范国华吴建新方云斌章国雄俞永林马勇响应杭州市总工会、集团工会号召,为充分发挥蓝领职工创新积极性,推进企业转型升级,填料公司正紧锣密鼓地开展技能人才创新创效活动。经过近半年的努力,公司已组建塔内件制造工艺创新工作室,有序开展技术创新、技术攻关活动。工作室由焊接高级技师方忠平领衔,团队成员7人,含技师、技术专家与车间一线员工。目前杭氧塔器设备大部分塔内件主要采用外协厂家供

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