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A COMPLETE COMPOSITE GTO MODEL FOR CIRCUIT SIMULATIONS

作者： Barry W. Williams
学科：电子电信 > 物理电子学
创建时间：1998-02-12
出处：《电子科学学刊：英文版》 1998年第2期

简介：Thepaperpresentsacompletecompositegateturn-offthyristor(GTO)model,whichisbasedonthecombinationofthep-n-pandn-p-ntransistormodels.PSpicesimulationsandparametricsensitiveanalysisareperformedwiththecompletecompositemodelandcalculatedresultsaregiven,whichshowthatitcorrespondsstaticallyanddynamicallywiththepracticaldevice.Inparticular,theGTOgatedynamicalcharacteristicsinpracticalcircuitsarediscussedandexperimentalresultsareincluded.
标签： GTO SIMULATION MODEL

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