简介：摘 要: 氮化铝(AlN)是一种宽禁带III族氮化物，具有导热系数高、机械强度强、热稳定性好、介电常数低等优点。稀土元素(RE)掺杂被认为是进一步提高AlN性能及其应用的有效方法。本文对几种RE元素掺杂AlN后所形成的稀磁半导体(DMS)纳米结构进行介绍，阐明微纳结构与光电性能间的构效关系与物理本质，为稀土元素掺杂氮化铝纳米材料的潜在应用提供理论依据。
稀土元素掺杂氮化铝纳米材料的研究进展
