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磷离子注入诱导InGaAsP／InP双量子阱混合的研究

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摘要本文用光荧光(PL)方法研究了磷离子注入具有两个不同发射波长的InGaAsP/InP双量子阱结构引起的混合.注入能量为120keV,剂量范围为1×1011-1×1014/cm2.注入后,在高纯氮保护下,样品在700℃进行快速热退火30秒.实验结果表明,小剂量注入(～1011/cm2)能较好地诱导近表面阱的混合,且两个阱保持了不同发射波长,说明离子注入诱导量子阱混合与注入深度有关.大剂量注入(>1012/cm2)时,发射波长为1.59μm量子阱混合的程度(蓝移值大于130nm)超过了1.52μm量子阱混合的程度,且两个阱的PL发射峰基本上合并成一个单峰.

DOI ojnl20p1dr/399813

作者陈杰 ;王永晨 ;赵杰 ;韩德俊

机构地区不详

出处《光子技术》 2005年4期

关键词离子注入 InGaAsP/InP双量子阱量子阱混合

分类 [电子电信][物理电子学]

出版日期 2005年04月14日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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