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用溅射法制备混合集成电路中的Ci·SiO薄膜电阻器

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摘要介绍应用溅射工艺制备Cr·SiO薄膜电阻器的方法，通过大量的实验及不断的工艺优化，制备出了高精度、高稳定性、低TCR的HIC中的薄膜电阻器基片，并已投入批量生产。

DOI odw8evxydk/1938008

作者王军峰;殷小莉;等

机构地区不详

出处《电子元器件应用》 2002年8期

关键词 Ci·SiO薄膜电阻器混合集成电路溅射 TCR

分类 [电子电信][电路与系统]

出版日期 2002年08月18日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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来源期刊

电子元器件应用

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