Si基GaN电力电子器件即将迎来快速发展阶段

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摘要 进入2018年,部分Si基GaN电力电子器件获得JEDEC和AEC—Q101认证,产品可靠性正在获得认可。同时,8英寸Si基GaN外延和器件加工技术不断取得突破,未来技术成熟后将进一步降低产品成本。在可靠性提升和成本降低等因素促进下,Si基GaN电力电子器件将迎来快速发展阶段。
作者
机构地区 不详
出处 《半导体信息》 2018年4期
出版日期 2018年04月14日(中国期刊网平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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