首页
期刊导航
期刊检索
论文检索
新闻中心
期刊
期刊
论文
首页
>
《半导体信息》
>
2003年3期
>
1.0mm的超薄堆叠闪存芯片
1.0mm的超薄堆叠闪存芯片
打印
分享
在线阅读
下载PDF
导出详情
摘要
<正>据报道,美国InteI公司日前推出五款用于通信系统的超薄闪存芯片,该芯片具有存储空间大、耗电低和体积小等优点。
DOI
zdlpyonm4l/1563740
作者
孙再吉
机构地区
不详
出处
《半导体信息》
2003年3期
关键词
闪存芯片
存储空间
公司计划
通信系统
存储容量
Seale
分类
[电子电信][物理电子学]
出版日期
2003年03月13日(中国期刊网平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
相关文献
1
宋中海;葛乐乐.
薄壁换热管(壁厚≤1.0mm)的焊接新工艺
.无机化工,2018-03.
2
.
长江存储年底提供自研32层堆叠3DNAND闪存样品
.物理电子学,2017-02.
3
李纯强.
1.6mm-1.2mm光伏太阳能超薄玻璃应用及研究分析
.建筑技术科学,2024-06.
4
.
解决VIA芯片组不识别闪存盘故障
.计算机科学与技术,2005-01.
5
逄杨.
闪存涉诉“337”,下游厂商受牵连——浅析三星闪存芯片知识产权纠纷案
.微电子学与固体电子学,2010-12.
6
杨建生.
超薄型圆片级芯片尺寸封装技术
.物理电子学,2006-12.
7
江兴.
英特尔与美光联合推出34纳米闪存芯片
.物理电子学,2009-05.
8
陈裕权.
三星耗资35亿美元在美建300mm闪存晶片厂
.物理电子学,2007-06.
9
黄卫国.
超薄芯片真空拾取与贴装高精度的实现原理
.,2022-10.
10
.
4月上半月NAND闪存芯片介格创7个月来新高
.电路与系统,2011-05.
来源期刊
半导体信息
2003年3期
相关推荐
堆叠封装的最新动态
带16KB闪存的单芯片8位微控制器LPC936
技术堆叠不如思维贯通
2006年中国将建5座300mm晶圆芯片厂
什么是闪存
同分类资源
更多
[物理电子学]
SMTe新增会员
[物理电子学]
国产手机熬出头前十排名国内品牌占七位
[物理电子学]
香港第一个3G运营商连接到整个地铁网络
[物理电子学]
让世界更多地听到宁夏的声音——马启智谈宁夏信息化发展历程
[物理电子学]
硅通孔互连技术的开发与应用
相关关键词
闪存芯片
存储空间
公司计划
通信系统
存储容量
Seale
返回顶部