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日本在较低温环境下研制出硅氧化膜

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摘要 <正>日本产业技术综合研究所日前发布消息说,他们通过自行开发的"大容量高纯度臭氧发生装置"生产出浓度高于90%的臭氧,并成功使用这种超高浓度的气体在400摄氏度较低温环境下制造出高品质的硅氧化膜。

DOI wjvx2kyw47/1563726

作者盛柏桢

机构地区不详

出处《半导体信息》 2003年2期

关键词硅氧臭氧发生装置日本产业综合研究所低温环境鼻高

分类 [电子电信][物理电子学]

出版日期 2003年02月12日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）