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InP中的孪晶和晶界的同步辐射研究

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摘要实验观测到X射线反向曲线具有双晶特征。研究表明缺陷聚集在孪晶晶界。应力在晶界边缘处得到释放。应力的释放导致享晶和其它缺陷的形成。由于缺陷的形成在缺陷的附近产生无位错无应力或低位错小应力区。因此我们提出一种孪晶模型来解释实验结果。应力（主要是热应力），化学配比的偏离和杂质的非均匀分布是液封直接（LEC）InP单晶生长过程中产生孪晶的主要因素。研究了液封直拉（LEC）InP(111）面上的孪晶。本文中讨论了上面提到的孪晶模型的实验证据和如何得到无孪晶液封直接（LEC）InP单晶。

DOI rdx05rk5dl/1407101

作者韩玉杰;蒋建华;等

机构地区不详

出处《北京同步辐射装置年报》 1997年1期

关键词 INP 孪晶晶界同步辐射磷化铟面缺陷

分类 [核科学技术][核技术及应用]

出版日期 1997年01月11日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）