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PZT压电厚膜用PT过渡层的制备及表征

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摘要用溶胶-凝胶法在Pt（111）／Cr／SiO2／Si衬底上制备了（100）取向PT过渡层，探讨了制备工艺条件对胛过渡层成膜情况的影响，结果表明，快速热处理工艺制备的PT过渡层结晶较好，而热解时间过长和退火时间过长都会引起铅的损失，造成TiO杂相的出现，从而对PT过渡层的结晶产生不利影响。

DOI 6jryzx6qd5/1110115

作者段中夏;刘俊标;韩立

机构地区不详

出处《纳米科技》 2011年5期

关键词 PT 过渡层 (100)取向制备工艺 PZT

分类 [一般工业技术][材料科学与工程]

出版日期 2011年05月15日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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来源期刊

纳米科技

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