采用反相方法测试台架测定3.3kV IGCT的特性

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摘要 采用反相方法测试台架在实际工作条件下,对ABB公司提供的实验性3.3kVIGCT进行了特性测定。这种器件在硬开关运行下的导通损耗非常小,开关损耗也降低了。这就表明一种新型大功率/中电压半导体器件已经问世,它们可以用于较高开关频率(超过1kHz)和大电流工况,以改善大功率变换器的性能。
机构地区 不详
出处 《电力电子》 2004年6期
出版日期 2004年06月16日(中国期刊网平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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