简介:近年来,采用各种不同沟槽栅结构使低压MOSFET功率开关的性能迅速提高。本文分上、下两篇综述了这方面的新发展。上篇重点阐述了降低漏源通态电阻RDS(on)?B7矫娴募际醴⒄梗幌缕氐悴隽私档陀胖礔oM方面的技术发展。
简介:在2017年春节之际,通信世界全媒体多位记者在返乡之余,通过采访亲朋好友,走访大街小巷,实地调查各地通信信息产业发展对人民生活工作带来的深刻影响和变化。我们精心选编了记者们采写的江西、陕西、山东、海南、湖南、北京、甘肃、内蒙古等地的报道,呈现出一幅"通信改变生活"的"百态图"。
简介:为适应增大变换器电流和提高CPU性能的不断要求,研究出降低输出电压而不降低效率的应对措施,它促使MOSFET工业以惊人的速度不断创新。带基STripFET^TM的第三代产品已达到很低的导通电阻乘栅电荷的所谓品质因数(FOM)。从根本上说,它受益于新型集成技术,还可能由新技术带来内在的多样性和灵活性。本文阐述了实际的电压调节模块(VRM)拓扑,并示出效率结果,以便与竞争对手——沟槽型MOSFET结构比较,以表明STripFET^TM的性能优点。此外,还给出许多特殊功能。
沟槽栅低压功率MOSFET的发展(上)——减小漏源通态电阻R DS(on)
春节里的“通信百态图”--江西:光纤宽带进楼入户4K高清全民普及
第三代STripFET^TM实现了通态电阻与栅极电荷之间的最佳折衷——电信和计算机用的DC-DC变换器的新效率标准